Вышедшие номера
Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах
Пенин Н.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Рассмотрен эффект ''отрицательной емкости'' в однородных (без барьеров) полупроводниковых структурах. Показано, что отрицательная емкость возникает, если проводимость в структуре имеет инерционный характер и реактивная компонента тока превышает максвелловский ток смещения.