"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах
Пенин Н.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Рассмотрен эффект ''отрицательной емкости'' в однородных (без барьеров) полупроводниковых структурах. Показано, что отрицательная емкость возникает, если проводимость в структуре имеет инерционный характер и реактивная компонента тока превышает максвелловский ток смещения.
  1. J. Werner, A. Levi, R.T. Tung, M. Anzlowar, M. Pinto. Phys. Rev. Lett., 60, 53 (1988)
  2. X. Wu, E.S. Yang, H.L. Evans. J. Appl. Phys., 68, 2845 (1990)
  3. K. Steiner, N. Uchitami, N. Toyoda. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 1113 (1990)
  4. S.H. Zoidi, A.K. Jonsher. Semicond. Sci. Technol., 2, 587 (1987)
  5. А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 28, 1569 (1994)
  6. M. Beale, P. MacKay, Phil. Mag. B, 65, 47 (1992)
  7. M. Beale. Phil. Mag. B, 65, 65 (1992)
  8. Н.А. Пенин. ФТП, 23, 466 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.