"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общая и тонкая структура распределения собственных ловушек по толщине аморфного термического SiO2 на Si
Романов О.В.1, Котов И.А.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

В работе решалась задача экспериментального анализа общей и тонкой структуры распределения по глубине собственных ловушек донорного и акцепторного типа в тонких слоях термического аморфного диоксида кремния на монокристаллическом кремнии, полученных различными промышленными технологиями (di=30/60 нм). С использованием методов комплексного эффекта поля в электролитах, прецизионного послойного химического растворения пленки SiO2 и лазерной эллипсометрии было впервые установлено существование трех областей локализации собственных ловушек структурно химической природы по толщине тонкого аморфного слоя SiO2: область вблизи внутренней границы раздела Si/SiO2 толщиной 3.5/5 нм; область вблизи внешней границы раздела SiO2--воздух толщиной 4/6 нм и область, которая разделяет две предыдущие области и характеризуется низкой плотностью акцепторных и донорных ловушек. Полученные результаты позволяют разработать совершенно новые подходы как в области фундаментальных представлений о тонких и сверхтонких диэлектриках, так и в технологии сверхбольших интегральных схем следующего поколения.
  1. J.E. Thomas, D.R. Young. IBM J. Dev. Res., 8, 368 (1964)
  2. A.S. Grove, B.E. Deal, E.H. Snow, C.T. Sah. Sol. St. Electron., 8, 145 (1965)
  3. Л.К. Думиньш, В.Н. Ребров, Ю.В. Федорович. Электрон. приборостроение, вып. 4, 45 (1968)
  4. О.В. Романов. ФТП, 16, 419 (1982)
  5. \it Instabilities in Silicon Devices, ed. By G.Barbotin, A.Vapaille (Elsevier, Amsterdam, 1989)
  6. А.В. Плотников, В.С. Вавилов. ФТП, 7, 878 (1973)
  7. D.B. Mott, S.P. Buchner. Appl. Phys. Lett., 51, 1643 (1987)
  8. А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, В.Ю. Осипов, С.К. Бойцов, Ю.С. Зинчик, Т.Л. Макарова. ФТП, 26, 146 (1992)
  9. V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. Progr. Surf. Sci., 41, 111 (1992)
  10. W.H. Brattain, P.J. Boddy. J. Electrochem. Soc., 109, 574 (1962)
  11. О.В. Романов, П.П. Коноров. ФТТ, 8, 13 (1966)
  12. O.V. Romanov. Anal. de Fis., Ser. B, 86, 34 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.