Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Горячая люминесценция и электрон-фононное взаимодействие в структурах с квантовыми ямами

Мирлин Д.Н.¹, Захарченя Б.П.¹, Решина И.И.¹, Родина А.В.¹, Сапега В.Ф.¹, Сиренко А.А.¹, Устинов В.М.¹, Жуков А.Е.¹, Егоров А.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 сентября 1995 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью метода горячей фотолюминесценции проведено экспериментальное исследование электрон-фононного взаимодействия в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs и GaAs/Al_xGa_1-xAs. Измерена скорость внутризонного рассеяния горячих электронов с кинетической энергией 200 мэВ на фононах в зависимости от ширин квантовых ям в диапазоне 40-140 Angstrem. По энергетическим потерям в спектре горячей люминесценции непосредственно определяется энергия и тип фононов, вносящих основной вклад в процесс энергетической релаксации. Сравниваются результаты для структур с разным составом барьеров. В рамках диэлектрической континуальной модели проведены расчеты скорости рассеяния электронов на фононах различных типов. Экспериментальные результаты находятся в удовлетворительном согласии с этими расчетами.

P.J. Price. Phys. Rev. B, 30, 2234 (1984)
B.K. Ridley. Rep. Progr. Phys., 54, 169 (1989)
N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
K. Huang, B. Zhu. Phys. Rev. B, 38, 13377 (1988)
M.R. Chamberlain, M. Cardona, B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 48, 14356 (1993)
H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
M.C. Tatham, J.F. Ryan. Semicond. Sci. Technol., 7, B102 (1992)
K.T. Tsen, R. Joshi, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 62, 2075 (1993)
D.N. Mirlin, I.Ya. Karlik, L.P. Nikitin, I.I. Reshina, V.F. Sapega. Sol. St. Commun., 37, 757 (1981)
B.P. Zakharchenya, P.S. Kop'ev. D.N. Mirlin, D.G. Polyakov, I.I. Reshina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko. Sol. St. Commun., 69, 203 (1989)
D.N. Mirlin, P.S. Kop'ev, I.I. Reshina, A.V. Rodina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, V.M. Ustinov. In: \it 22 Int. conf. on Phys. of Semicond., ed by D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995)
T. Ruf, A. Cros, J. Spitzer, G. Goldoni, M. Cardona. In: \it Proc. of 11th Int. Conf. on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (Cambridge, USA, 1994), (to be published)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель