Мониторинг процессов формирования и удаления сверхтонких слоев SiO 2 на исходной гидрогенизованной поверхности монокристаллического кремния
Романов О.В.1, Бершев Н.Е.1
1Научно-исследовательский институт физики, Петродворец, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
- E.H. Nicollian, J.R. Brems. \it MOS Physics and Technology (J.Wiley, N.Y., 1982)
- \it Instabilities in Silicon Devices, ed. by G, Barbotin, A. Vapaille (Elsevier, Ansterdam, 1989)
- V.K. Adamchuk, V.V. Afanasev. Prog. Surf. Sci., 41, 111 (1992)
- W.H. Brattain, P.J. Boddy. Electrochem. Soc., 109, 574 (1962)
- О.В. Романов, П.П. Коноров. 8, 13 (1966)
- O.V. Romanov. Anal. de Fis., Ser. 86, 34 (1990)
- O.V. Romanov, A.M. Belygh, E.L. Krasnov, V.I. Kalenik. Burf. Sci., 269/270, 1032 (1992)
- О.В. Романов, С.Н. Султанмагомедов. Вестн. ЛГУ. Физика. Химия, 10, 46 (1980)
- J.M.C. Thornton, R.H. Williams. Semicond.Sci. Techn., 4, 847 (1989)
- О.В. Романов, И.А. Котов. ФТП, 30, 707 (1996)
- S. Yoon, M.H. White. J. Electron. Mater., 19, 487 (1990)
- В.В. Игнатьев, С.П. Трунов. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, 3 (127), 58 (1988)
- H. Fukuda, K. Iwabuchi, S. Ohno. Jap. J. Appl. Phys. (2), 27, 2164 (1988)
- A. Goetzberger, V. Heine, E.H. Nicollian. Appl. Lett., 12, 95 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук