Вышедшие номера
Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия сколов гетероструктур ZnSe/GaAs
Анкудинов А.В.1, Титков А.Н.1, Иванов С.В.1, Сорокин С.В.1, Шмидт Н.М.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии в обычных условиях впервые исследовались сколы гетероструктур n-ZnSe/n-GaAs. Проведенные исследования демонстрируют возможность получения этими методами важных данных о структурных и электрических свойствах гетеропереходов II-VI/III-V. Анализ представленных результатов позволяет предположить, что одной из причин возникновения электрических барьеров на гетеропереходе n-ZnSe/n-GaAs является несовершенство структуры слоев ZnSe вблизи гетерограницы.