Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия сколов гетероструктур ZnSe/GaAs

Анкудинов А.В.¹, Титков А.Н.¹, Иванов С.В.¹, Сорокин С.В.¹, Шмидт Н.М.¹, Копьев П.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 октября 1995 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии в обычных условиях впервые исследовались сколы гетероструктур n-ZnSe/n-GaAs. Проведенные исследования демонстрируют возможность получения этими методами важных данных о структурных и электрических свойствах гетеропереходов II-VI/III-V. Анализ представленных результатов позволяет предположить, что одной из причин возникновения электрических барьеров на гетеропереходе n-ZnSe/n-GaAs является несовершенство структуры слоев ZnSe вблизи гетерограницы.

M.A. Haasse, J. Qui, J.I. DePuydt, H. Cheng. Appl. Phys. Lett., 59, 1272 (1991)
A.V. Nurmikko, R.L. Gunsher. \it Proc. 22th Int. Conf. on Physics of Semicond., Vancouver, Canada (1994) p. 27
S.Guha, H. Munekata, L.L. Chang. J. Appl. Phys., 73, 2294 (1993)
N. Nakayama, S. Itoh, H. Okuyama, M.Ozawa, T. Ohata, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi, Y. Mori. Electron. Lett., 29, 2194 (1993)
R.M. Feenstra. Semicond. Sci. Technol., 9, 2157 (1995)
S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, H.S. Park, T.I. Kim, P.S. Kop'ev. \it Abstracts VII European Workshop on MBE, Sierra-Nevada, Spain, March 21--24 (1995) p. 119
А.В. Анкудинов, И.Е. Беришев, П.М. Солнцев, А.Н. Титков. Письма ЖТФ. 19 (23), 94 (1993)
M. Tanimoto, Y. Nakano. J. Vac. Sci. Technol., A8, 553 (1190)
I. Suemune, M. Hoshiyama. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 3784 (1994)
H.T. Lin., D.H. Rich, D.B. Wittry. J. Appl. Phys., 75, 8080 (1994)
R.M. Feenstra, J.A. Storscio, J. Tersoff, A.P. Fein. Phys. Rev. Lett., 58, 1192 (1987)
L. Vanzetti, A. Bonanni, L. Sorba, A. Franciosi, M. Lomascolo, D. Greco, R. Cingolani. \it Proc. 22th Int. Conf. on Physics of Semicond., Vancouver, Canada (1994) p. 767

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель