"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О механизме токопереноса и фотоэлектрических характеристиках структур Pd--SiN--p-Si
Слободчиков С.В.1, Руссу Е.В.1, Салихов Х.М.1, Мередов М.М.1, Язлыева А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики и фототок в диодных структурах Pd--SiN--p-Si. Процесс токопереноса определяется двойной инжекцией носителей при прямых смещениях в дрейфовом приближении и при обратных --- в диффузном приближении. Обнаружено усиление фототока и темнового тока при обратном смещении на 2 порядка величины. Выявлен участок отрицательного дифференциального сопротивления с N-образной вольт-амперной характеристикой. Дано качественное объяснение этим явлениям с учетом решающего влияния центров захвата дырок и электронов с глубокими уровнями.
  1. P.C. Arnett, Z.A. Weinberg. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-25, 1014 (1978)
  2. S.M. Sze. J. Appl. Phys. 38, 2951 (1967)
  3. J. Robertson. J. Appl. Phys., 54, 4490 (1983)
  4. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) т. 2, с. 73
  5. H.J. Stein, S.T. Picraux, P.Y. Holloway. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-25, 1008 (1978)
  6. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, 185 (1993)
  7. В.И. Стафеев. ФТТ, 1, 841 (1959)
  8. Г.Г. Ковалевская, В.И. Алюшина, С.В. Слободчиков. ФТП, 11, 2125 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.