О механизме токопереноса и фотоэлектрических характеристиках структур Pd--SiN--p-Si
Слободчиков С.В.1, Руссу Е.В.1, Салихов Х.М.1, Мередов М.М.1, Язлыева А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
Исследованы вольт-амперные характеристики и фототок в диодных структурах Pd-SiN-p-Si. Процесс токопереноса определяется двойной инжекцией носителей при прямых смещениях в дрейфовом приближении и при обратных - в диффузном приближении. Обнаружено усиление фототока и темнового тока при обратном смещении на 2 порядка величины. Выявлен участок отрицательного дифференциального сопротивления с N-образной вольт-амперной характеристикой. Дано качественное объяснение этим явлениям с учетом решающего влияния центров захвата дырок и электронов с глубокими уровнями.
- P.C. Arnett, Z.A. Weinberg. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-25, 1014 (1978)
- S.M. Sze. J. Appl. Phys. 38, 2951 (1967)
- J. Robertson. J. Appl. Phys., 54, 4490 (1983)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) т. 2, с. 73
- H.J. Stein, S.T. Picraux, P.Y. Holloway. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-25, 1008 (1978)
- Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, 185 (1993)
- В.И. Стафеев. ФТТ, 1, 841 (1959)
- Г.Г. Ковалевская, В.И. Алюшина, С.В. Слободчиков. ФТП, 11, 2125 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
