"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Использование изотопов бора и облучение нейтронами для изготовления p-n-переходов в алмазных пленках
Карумидзе Г.С.1, Шавелашвили Ш.Ш.1
1Институт стабильных изотопов, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 28 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Предлагается технологическая схема, дающая возможность получения p-n-переходов в алмазных пленках с помощью изотопов бора 10B и 11B с последующим облучением тепловыми нейтронами ядерного реактора.
  1. Алмаз в электронной технике (М., Энергоиздат, 1989)
  2. J.G. Angus, C.C. Hayman. Science, 244, 913 (1988)
  3. I.C. Ageus, H.A. Will, W.S. Stanko. J. Appl. Phys., 39, 2915 (1968)
  4. D.J. Proferd, N.C. Gardner, J.G. Angus. J. Appl. Phys., 44, 1418 (1973)
  5. G.S. Karumidze, G.A. Tevzadze, Sh.Sh. Shsavelashvili. \it Proc. 4th Europ. conf. on diamond, diamond-like and related materials, Sept. 20--24, 1994 (Portugal, Albufeira, Algarve, 1993) p. 175
  6. И.С. Вавилов. УФН, 145, 929 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.