"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние gamma-излучения на кинетические коэффициенты пленок Pb 1- xSn xTe
Мамадалимов А.Т.1, Онаркулов К.Э.1, Парпиев Т.К.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Исследовано влияние gamma-излучения на кинетические коэффициенты нелегированных и легированных индием поликристаллических пленок твердого раствора Pb1-xSnxTe. Полученные результаты объясняются изменениями состояния границ кристаллитов в процессе воздействия gamma-излучения: радиационно-стимулированной диффузией примесей в объеме и на границах кристаллитов.
  1. Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. \it Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (М., 1975)
  2. В.Н. Брудний, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов, Ю.В. Лиленко, А.С. Петров, А.И. Потапов. ФТП, 8, 1995 (1978)
  3. Н.Б. Брандт, А.М. Гаськов, Е.А. Ладыгин, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП, 23, 2034 (1989)
  4. С.И. Стафеев, Э.Ю. Салаев, Х.Д. Джалилова, Э.И. Курбанова, Г.С. Мамедов. ФТП, 17, 1864 (1983)
  5. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 24, 201 (1992)
  6. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Виязова. \it Механизм образования и миграция дефектов в полупроводниках (М., 1981)
  7. Ш.Б. Атакулов, Ф.А. Заитов, Ю.В. Матершев, К.Э. Онаркулов, А.Е. Шавров. ФТП, 19, 2088 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.