Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние gamma-излучения на кинетические коэффициенты пленок Pb 1- xSn xTe
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан 
Поступила в редакцию: 13 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
Исследовано влияние gamma-излучения на кинетические коэффициенты нелегированных и легированных индием поликристаллических пленок твердого раствора Pb1-xSnxTe. Полученные результаты объясняются изменениями состояния границ кристаллитов в процессе воздействия gamma-излучения: радиационно-стимулированной диффузией примесей в объеме и на границах кристаллитов.
- Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. \it Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (М., 1975)
- В.Н. Брудний, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов, Ю.В. Лиленко, А.С. Петров, А.И. Потапов. ФТП, 8, 1995 (1978)
- Н.Б. Брандт, А.М. Гаськов, Е.А. Ладыгин, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП, 23, 2034 (1989)
- С.И. Стафеев, Э.Ю. Салаев, Х.Д. Джалилова, Э.И. Курбанова, Г.С. Мамедов. ФТП, 17, 1864 (1983)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 24, 201 (1992)
- В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Виязова. \it Механизм образования и миграция дефектов в полупроводниках (М., 1981)
- Ш.Б. Атакулов, Ф.А. Заитов, Ю.В. Матершев, К.Э. Онаркулов, А.Е. Шавров. ФТП, 19, 2088 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
