"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика вакансий в процессе гетерополитипной эпитаксии SiC
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времени концентрации углеродных и кремниевых вакансий в переходном слое, в рамках которой получено соотношение между их временами жизни. PACS: 61.50.Nw, 61.66.Fn, 61.72.Cc, 61.72.Ji, 68.55.Jk
  1. Г. Хэниш, Р.М. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972)
  2. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  3. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  4. А.А. Лебедев. ФТП, 33, 769 (1999)
  5. А.А. Лебедев, С.Ю. Давыдов. ФТП, 39, 296 (2005)
  6. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)
  7. Э. Камке. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям (М., Наука, 1971)
  8. E. Rauls, Th. Frauenheim, A. Gali, P. Deak. Phys. Rev. B, 68, 155 208 (2003)
  9. M. Bockstedte, A. Mattaush, O. Pankratov. Phys. Rev. B, 68, 205 201 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.