Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зависимость интенсивности лазерной генерации вертикальных наностержней ZnO от поляризации оптического возбуждения

Грузинцев А.Н.¹, Редькин А.Н.¹, Маковей З.И.¹, Якимов Е.Е.¹, Бартхоу К.¹, Barthou C.¹, Беналул П.¹, Benalloul P.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Поступила в редакцию: 1 ноября 2006 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проанализированы поляризационные зависимости излучения и оптического возбуждения ансамбля вертикальных полупроводниковых наностержней ZnO, синтезированных на подложке Si (100). Благодаря наведенному поверхностному заряду из-за разности диэлектрических проницаемостей наностержней и их окружения коэффициенты поглощения и излучения различны для света, поляризованного параллельно и перпендикулярно осям наностержней. В результате интенсивность и спектры люминесценции в ансамбле параллельных наностержней сильно чувствительны к поляризации возбуждения. Исследование зависимости лазерного спектра от поляризации возбуждения показало хорошее согласие с теорией наведенного заряда. Механизмом лазерного свечения является образование траекторий света при многократном отражении в вертикально ориентированных наностержнях ZnO. PACS: 78.45.+h, 78.66.Hf, 78.67.Lt

H. Piller, R. Hauschild, J. Zeller, C. Klingshirn, H. Kalt, R. Kling, F. Reuss, C. Kircher, A. Waag. J. Luminesc., 112, 173 (2005)
B.P. Zhang, N.T. Binh, Y. Segawa, Y. Kashiwaba, K. Haga. Appl. Phys. Lett., 84, 586 (2004)
H.C. Hsu, C.Y. Wu, W.F. Hsieh. J. Appl. Phys., 97, 064 315 (2005)
A.N. Gruzintsev, V.T. Volkov, C. Barthou, P. Benalloul. Thin Sol. Films, 459, 262 (2004)
А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, С.В. Дубонос, М.А. Князев, Е.Е. Якимов. ФТП, 38, 1473 (2004)
P. Zu, Z.K. Tang, G.K. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Y. Segawa. Sol. St. Commun., 103, 459 (1997)
N.E. Hsu, W.K. Hung, Y.F. Chen. J. Appl. Phys., 96, 4671 (2004)
Z. Fan, P. Chang, J.G. Lu, E.C. Walter, R.M. Penner, C. Lin, H. Lee. Appl. Phys. Lett., 85, 6128 (2004)
А.Н. Грузинцев, А.Н. Редькин, Е.Е. Якимов, К. Бартхоу, П. Беналлул. Неорг. матер., 42, 1 (2006)
H.E. Ruda, A. Shik. Phys. Rev. B, 72, 115 308 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель