"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние смещающего электрического поля на спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта в структурах с барьером Шоттки на основе кристаллов теллурида кадмия--цинка
Комарь В.К.1, Пузиков В.М.1, Чугай О.Н.2, Наливайко Д.П.1, Сулима С.В.1, Абашин С.Л.2
1НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 15 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Измерены спектральные зависимости эффективных значений действительной и мнимой частей низкочастотной диэлектрической проницаемости кристаллов Cd1-xZnxTe (x=0.12-0.16), на поверхности которых создан барьер Шоттки. Установлено, что граничные длины волн характеристических участков измеренных зависимостей, представленных в комплексной плоскости, соответствуют энергиям фотонов, вызывающих качественные изменения в состоянии отрицательно заряженных и электронейтральных локализованных акцепторных состояний. Обнаружены изменения энергетического спектра локализованных состояний, определяемые величиной и полярностью приложенного к барьеру Шоттки электрического смещения. PACS: 71.23.An, 71.55.Gs, 77.22.Ch
  1. V.K. Komar, V.P. Migal, O.N. Chugai, V.M. Puzikov, D.P. Nalivaiko, N.N. Grebenyuk. Appl. Phys. Lett., 81, 4195 (2002)
  2. P. Fougeres, P. Sittert, M. Hageali, J.M. Koekl, R. Regal. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 428, 38 (1999)
  3. Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28, 1505 (1994)
  4. H. Hermon, M. Schieber, R.B. James, A.J. Antolak, D.H. Marse, B. Brunett, C. Hackett, E. Tarver, V. Komar, M.S. Goorsky, H. Yoon, N.N. Kolesnikov, J. Toney, T.E. Sclesinger. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 428, 30 (1999).
  5. P. Fougeres, P. Siffert, M. Hageali, J.M. Koebel, R. Regal. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A, 428, 38 (1999)
  6. Н.А. Пенин. ФТП, 30, 626 (1996)
  7. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1, с. 261. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, A Wiley-Interscience Publication, 1981) v. 1]
  8. L.N. Davydov, O.A. Datsenko, G.P. Kovtun, A.I. Kondrik, V.E. Kutny, A.V. Rybka. Functional Mater. (Ukraine, Kharkov), 8 (2), 255 (2001)
  9. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982) с. 94. [Пер. с англ.: Е.Н. Rhoderick. Metal--semiconductor contacts (Clarendon Press--Oxford, 1978)]
  10. Дж. Блэкмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964) с. 159. [Пер. с англ.: J.S. Blakemore. Semiconductor statistics (Oxford--London--N. Y.--Paris, Pergamon Press, 1962)]
  11. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Sol. St. Commun., 65, 1111 (1988)
  12. Н.Т. Баграев, Р.М. Мирсаатов, И.С. Половцев, А. Юсупов. ФТП, 26, 481 (1992)
  13. Н.Т. Баграев, Р.М. Мирсаатов, И.С. Половцев, У. Сирожов, А. Юсупов. ФТП, 26, 427 (1992)
  14. Н.Т. Баграев. ЖЭТФ, 100, 1378 (1991)
  15. П.Н. Ткачук, В.И. Ткачук, П.Н. Букивский, М.В. Курик. ФТТ, 46, 804 (2004)
  16. Tineke Thio, J.W. Bennett, D.J. Chadi, R.A. Linke, P. Becla. J. Cryst. Growth, 159, 345 (1996)
  17. В.В. Кислюк, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Г.С. Пекарь, А.Ф. Сингаевский, М.К. Шейнкман. ФТП, 30, 1884 (1996)
  18. P. De Antonis, E.J. Morton, E.J.W. Podd. IEEE Trans. Nucl. Sci., 43 (3), 1487 (1996)
  19. A. Zumbiehl, M. Hage-Ali, P. Fougeres, J.M. Koebel, R. Regal, P. Siffert. J. Cryst. Growth, 197, 650 (1999)
  20. В. Карпус. Письма ЖЭТФ, 44, 334 (1986)
  21. О.В. Курносова, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 26, 3307 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.