Вышедшие номера
Влияние смещающего электрического поля на спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта в структурах с барьером Шоттки на основе кристаллов теллурида кадмия--цинка
Комарь В.К.1, Пузиков В.М.1, Чугай О.Н.2, Наливайко Д.П.1, Сулима С.В.1, Абашин С.Л.2
1НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 15 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Измерены спектральные зависимости эффективных значений действительной и мнимой частей низкочастотной диэлектрической проницаемости кристаллов Cd1-xZnxTe (x=0.12-0.16), на поверхности которых создан барьер Шоттки. Установлено, что граничные длины волн характеристических участков измеренных зависимостей, представленных в комплексной плоскости, соответствуют энергиям фотонов, вызывающих качественные изменения в состоянии отрицательно заряженных и электронейтральных локализованных акцепторных состояний. Обнаружены изменения энергетического спектра локализованных состояний, определяемые величиной и полярностью приложенного к барьеру Шоттки электрического смещения. PACS: 71.23.An, 71.55.Gs, 77.22.Ch