"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об электронном сродстве политипов карбида кремния
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Значения электронного сродства рассчитаны двумя различными способами с помощью представления разрывов зон в гетеропереходах, образованных контактом 3C-SiC с некубическим политипом, в виде линейных функций от степени гексагональности. PACS: 73.20.At, 73.30.+y
  1. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  2. A. Fissel. Phys. Reports, 379 (1), 149 (2003)
  3. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП, 39 (12), 1440 (2005)
  4. А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богданова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002)
  5. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  6. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  7. W.R.L. Lambrecht, S. Limpijumnog, B. Segall. Inst. Phys. Conf. Ser., N 142, chap. 2 ( Silicon Carbide and Related Materials) (1996) p. 263
  8. A. Qteich, V. Heine, R.J. Needs. Phys. Rev. B, 45 (12), 6534 (1992)
  9. M.J. Bazack. Phys. Status. Solidi B, 202 (2), 549 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.