Вышедшие номера
Влияние низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП структур
Мордкович В.Н.1, Мокрушин А.Д.1, Омельяновская Н.М.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовалось влияние низкополевой инжекции на электрические свойства SiO2-Si в МОП структурах с подложками n- и p-типа проводимости. Показано, что во всех случаях при инжекции, независимо от полярности напряжения на затворе, в окисле возникает положительный эффективный заряд, который после инжекции релаксирует с временами, зависящими от величины смещения на затворе и типа МОП структуры. В структурах с p-Si при положительной полярности напряжения на затворе в процессе инжекции на вольт-фарадных характеристиках наблюдалось появление минимума при переходе к состоянию инверсии и возрастание с ростом этого напряжения величины инверсионной емкости (по сравнению с исходной величиной). В постинжекционный период происходило постепенное приближение величины емкости к начальному состоянию до инжекции. PACS: 73.40.Qv