Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП структур
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия 
Поступила в редакцию: 1 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовалось влияние низкополевой инжекции на электрические свойства SiO2-Si в МОП структурах с подложками n- и p-типа проводимости. Показано, что во всех случаях при инжекции, независимо от полярности напряжения на затворе, в окисле возникает положительный эффективный заряд, который после инжекции релаксирует с временами, зависящими от величины смещения на затворе и типа МОП структуры. В структурах с p-Si при положительной полярности напряжения на затворе в процессе инжекции на вольт-фарадных характеристиках наблюдалось появление минимума при переходе к состоянию инверсии и возрастание с ростом этого напряжения величины инверсионной емкости (по сравнению с исходной величиной). В постинжекционный период происходило постепенное приближение величины емкости к начальному состоянию до инжекции. PACS: 73.40.Qv
- А.А. Орликовский. Матер., X симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2006) с. 51
- D.J. DiMaria, D. Arnold, E. Cartier. Appl. Phys. Lett., 60, 2119 (1992)
- M. Itsumi. J. Appl. Phys., 52, 3491 (1981)
- D.J. DiMaria, D.A. Buchanan, I.H. Stathis, I.E. Stahlbuch. J. Appl. Phys., 77, 2032 (1995)
- D.J. DiMaria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys., 73, 3367 (1993)
- A.N. Nazarov, V.I. Kilchytskaja, J.P. Barchuk. In: Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, ed. by F. Balestra et al. (Kluwer Academic Publishers, 2002) p. 139
- D. Arnold, E. Cartier, D.J. DiMaria. Phys. Rev. B, 49, 10 278 (1994)
- D.J. DiMaria, E. Cartier, D.A. Buchanan. J. Appl. Phys., 80, 304 (1996)
- К.А. Насыров, С.С. Шаймеев, В.А. Гриценко, Ж.Х. Хан. С.В. Ким, Ж.В. Ли. ЖЭТФ, 129 (5), 926 (2006)
- Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
- A. Meelrertzhage. J. Appl. Phys., 73 (7), 3569 (1993)
- D. Kropman. Appl. Surf. Sci., 166 (1--4), 475(2000)
- Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 36 (7), 853 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
