"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние низкополевой инжекции носителей тока на электрические свойства МОП структур
Мордкович В.Н.1, Мокрушин А.Д.1, Омельяновская Н.М.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик исследовалось влияние низкополевой инжекции на электрические свойства SiO2--Si в МОП структурах с подложками n- и p-типа проводимости. Показано, что во всех случаях при инжекции, независимо от полярности напряжения на затворе, в окисле возникает положительный эффективный заряд, который после инжекции релаксирует с временами, зависящими от величины смещения на затворе и типа МОП структуры. В структурах с p-Si при положительной полярности напряжения на затворе в процессе инжекции на вольт-фарадных характеристиках наблюдалось появление минимума при переходе к состоянию инверсии и возрастание с ростом этого напряжения величины инверсионной емкости (по сравнению с исходной величиной). В постинжекционный период происходило постепенное приближение величины емкости к начальному состоянию до инжекции. PACS: 73.40.Qv
  1. А.А. Орликовский. Матер., X симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2006) с. 51
  2. D.J. DiMaria, D. Arnold, E. Cartier. Appl. Phys. Lett., 60, 2119 (1992)
  3. M. Itsumi. J. Appl. Phys., 52, 3491 (1981)
  4. D.J. DiMaria, D.A. Buchanan, I.H. Stathis, I.E. Stahlbuch. J. Appl. Phys., 77, 2032 (1995)
  5. D.J. DiMaria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys., 73, 3367 (1993)
  6. A.N. Nazarov, V.I. Kilchytskaja, J.P. Barchuk. In: Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, ed. by F. Balestra et al. (Kluwer Academic Publishers, 2002) p. 139
  7. D. Arnold, E. Cartier, D.J. DiMaria. Phys. Rev. B, 49, 10 278 (1994)
  8. D.J. DiMaria, E. Cartier, D.A. Buchanan. J. Appl. Phys., 80, 304 (1996)
  9. К.А. Насыров, С.С. Шаймеев, В.А. Гриценко, Ж.Х. Хан. С.В. Ким, Ж.В. Ли. ЖЭТФ, 129 (5), 926 (2006)
  10. Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976)
  11. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  12. A. Meelrertzhage. J. Appl. Phys., 73 (7), 3569 (1993)
  13. D. Kropman. Appl. Surf. Sci., 166 (1--4), 475(2000)
  14. Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 36 (7), 853 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.