"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe
Клевков Ю.В.1, Колосов С.А.1, Плотников А.Ф.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Исследованы транспортные свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe, выращенных по новой технологии. Определены характерные особенности температурных зависимостей проводимости, фотопроводимости и дрейфа ноcителей в этих поликристаллах. Полученные результаты лишь частично укладываются в рамки общепринятых представлений. PACS: 72.40.+w, 72.80.Ey
  1. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  2. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Изд-во иностр. лит., 1962)
  3. S. Yamanaka, S. Tsushima, H. Shimizu, Y. Tokumanu. J. Appl. Phys., 41, 5538 (2002)
  4. P.J. Sellin, A.W. Davies, A. Lohstroh, M.E. Ozsan, J. Parkin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 52 (6), 3074 (2005)
  5. A. Zumbiehl, M. Hage-Ali, M. Ayoub, R. Regal, J.M. Koebel, P. Siffert. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49 (3), 1254 (2002)
  6. T. Takahashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48 (4), 950 (2001)
  7. K. Suzuki, S. Seto, T. Sawada, K. Imai. Phys. Status Solidi C, 3 (4), 1130 (2006)
  8. К. Зеегер. Физика полупроводиков (М., Мир, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.