Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К теории стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниках

Кюрегян А.С.¹

¹Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия All-Russia Electrical Engineering Institute, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 15 августа 2006 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

PDF версия

Построена общая аналитическая теория стационарных плоских волн ударной ионизации в полупроводниковых приборах при произвольных зависимостях скоростей дрейфа и коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок от напряженности электрического поля. Получены формулы, описывающие структуру фронта волн и позволяющие вычислить его основные параметры - скорость, толщину, максимальную напряженность поля, концентрации носителей заряда и напряженность поля за фронтом - при заданных плотности тока и уровне легирования полупроводника. Указаны ограничения теории, обусловленные пренебрежением диффузионными потоками и использованием континуального приближения. PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 85.30.De, 85.30.Mn, 85.30.Kk

А.Н. Лагарьков, И.М. Руткевич. Волны электрического пробоя в ограниченной плазме (М., Наука, 1989) с. 55
B.C. DeLoach, D.L. Scharfetter. IEEE Trans. Electron. Dev, ED-17, 9 (1970)
D.J. Bartelink, D.L. Scharfetter. Appl. Phys. Lett., 14, 320 (1969)
И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма ЖТФ, 5 (15), 950 (1979)
И.В. Грехов, В.М. Тучкевич. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
P. Rodin, I. Grekhov. Appl. Phys. Lett., 86, 243 504 (2005)
P. Rodin, A. Rodina, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 98, 094506 (2005)
И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-переходов в полупроводниках (Л., Энергия, 1980).
А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 23, 1819 (1989)
Н.Г. Басов, А.Г. Молчанов, А.С. Насибов и др. ЖЭТФ, 70 (5), 1751 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель