"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Действие повреждающих облучений (p,e,gamma) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs и GaSb
Андреев В.М.1, Евстропов В.В.1, Калиновский В.С.1, Лантратов В.М.1, Хвостиков В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Свойства многопереходных солнечных элементов зависят от свойств составляющих фотовольтаических и туннельных p-n-переходов. В настоящей работе свойства области пространственного заряда фотовольтаических и туннельных p-n-переходов изучались с помощью темновой вольт-амперной характеристики на примере двух полупроводников: узкозонного, GaSb, и широкозонного, GaAs. Изучено действие повреждающих радиационных облучений протонами (энергия 6.78 МэВ, максимальный флюенс 3· 1012 см-2), электронами (энергия 1 МэВ, максимальный флюенс 3·1016 см-2) и gamma-квантами (1.17-1.33 МэВ, максимальная доза 17 Мрад) на время жизни носителей в области пространственного заряда фотовольтаических p-n-переходов и на пиковый ток соединительных туннельных p-n-переходов. В фотовольтаических p-n-переходах определены коэффициенты повреждения обратного времени жизни. Определены коэффициенты эквивалентности между использованными облучениями, которые по порядку величины оказались почти не зависящими от типа и материала p-n-перехода (примерно одинаковы для фотовольтаических и туннельных p-n-переходов из GaAs и для туннельных p-n-переходов из GaAs и GaSb). PACS: 61.80.Ed, 61.80.Fe, 61.80.Jh, 73.40.Kp, 84.60.Jt, 85.30.Kk
  1. V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov. Proc. Conf. "PV in Europe --- From PV Technology to Energy Solution" (Rome, 2002) p. 63
  2. V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov. Proc. 3rd World Conf. Photovolt. Energy Conv. (Osaka, 2003) 3pb534
  3. V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, V.P. Khvostikov. Proc. 19th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Paris, 2004) p. 3692
  4. V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, V.P. Khvostikov, O.A. Khvostikova. Proc. 20th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Barselona, 2005) p. 503
  5. А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1970) гл. 2, с. 74. [Пер. с англ.: А.А. Bergh, P.J. Dean. Light Emitting Diodes (Oxford, Claredon Press, 1976)]
  6. В.В. Евстропов, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 15 (11), 2152 (1981)
  7. R.Y. Loo, G.S. Kamath, S.S. Li. IEEE Trans Electron. Dev., 37 (2), 485 (1990)
  8. M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, V.P, Khvostikov, E.V. Paleeva, V.M. Andreev. Proc. 5th Eur. Space Power Conf. (Tarragona, 1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.