Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Действие повреждающих облучений (p,e,gamma) на фотовольтаические и туннельные p-n-переходы из GaAs и GaSb
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Свойства многопереходных солнечных элементов зависят от свойств составляющих фотовольтаических и туннельных p-n-переходов. В настоящей работе свойства области пространственного заряда фотовольтаических и туннельных p-n-переходов изучались с помощью темновой вольт-амперной характеристики на примере двух полупроводников: узкозонного, GaSb, и широкозонного, GaAs. Изучено действие повреждающих радиационных облучений протонами (энергия 6.78 МэВ, максимальный флюенс 3· 1012 см-2), электронами (энергия 1 МэВ, максимальный флюенс 3·1016 см-2) и gamma-квантами (1.17-1.33 МэВ, максимальная доза 17 Мрад) на время жизни носителей в области пространственного заряда фотовольтаических p-n-переходов и на пиковый ток соединительных туннельных p-n-переходов. В фотовольтаических p-n-переходах определены коэффициенты повреждения обратного времени жизни. Определены коэффициенты эквивалентности между использованными облучениями, которые по порядку величины оказались почти не зависящими от типа и материала p-n-перехода (примерно одинаковы для фотовольтаических и туннельных p-n-переходов из GaAs и для туннельных p-n-переходов из GaAs и GaSb). PACS: 61.80.Ed, 61.80.Fe, 61.80.Jh, 73.40.Kp, 84.60.Jt, 85.30.Kk
- V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov. Proc. Conf. "PV in Europe --- From PV Technology to Energy Solution" (Rome, 2002) p. 63
- V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov. Proc. 3rd World Conf. Photovolt. Energy Conv. (Osaka, 2003) 3pb534
- V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, V.P. Khvostikov. Proc. 19th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Paris, 2004) p. 3692
- V.S. Kalinovsky, V.M. Andreev, V.V. Evstropov, V.P. Khvostikov, O.A. Khvostikova. Proc. 20th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Barselona, 2005) p. 503
- А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1970) гл. 2, с. 74. [Пер. с англ.: А.А. Bergh, P.J. Dean. Light Emitting Diodes (Oxford, Claredon Press, 1976)]
- В.В. Евстропов, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 15 (11), 2152 (1981)
- R.Y. Loo, G.S. Kamath, S.S. Li. IEEE Trans Electron. Dev., 37 (2), 485 (1990)
- M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, V.P, Khvostikov, E.V. Paleeva, V.M. Andreev. Proc. 5th Eur. Space Power Conf. (Tarragona, 1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
