Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О влиянии сужения запрещенной зоны на поверхностные рекомбинационные процессы в кремнии

Саченко А.В.¹, Соколовский И.О.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 13 сентября 2006 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Учтено влияние эффекта сужения зон на величины эффективных скоростей поверхностной рекомбинации в кремнии. Показано, что эффект сужения зон приводит к увеличению эффективной скорости поверхностной рекомбинации в случае, когда концентрация носителей заряда на поверхности больше, чем в объеме, и к ее уменьшению в противоположном случае. Рассчитано влияние эффекта сужения зон на напряжение разомкнутой цепи в кремниевых солнечных элементах с учетом изменения вклада поверхностной рекомбинации. PACS: 71.20.Mq, 71.55.Cn, 72.20.Jv, 73.50.Gr, 73.50.Pz, 84.60.Jt

D.D. Kleppinder, F.A. Lindholm. Sol. St. Electron., 14, 407 (1971)
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Ф.Н. Боровик. ФТП, 30 (10), 1767 (1996)
P.P. Altermatt, A. Schenk, F. Geelhaar, G. Heiser. J. Appl. Phys., 93 (3), 1598 (2003)
А. Блихер. Физика силовых приборов и транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)
A.W. Blakers, M.A. Green, E.M. Keller. J. Appl. Phys., 57 (2), 591 (1985)
A.P. Gorban, A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3 (3), 322 (2000)
В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем метал--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3 (1), 5 (2000)
А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев, И.О. Соколовский. ФТП, 40 (8), 909 (2006)
A. Hangleiter, R. Hacker. Phys. Rev. Lett., 65, 215 (1990)
А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, Наук. думка, 1984)
E.K. Banghart, J.L. Gray, R.I. Schwartz. Proc. 20th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Las Vegas, 1988) [Conf. Rec. (N. Y., 1988)] v. 1, p. 717

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель