Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs при росте на разориентированных подложках
Цацульников А.Ф.1, Воловик Б.В.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Чжень Чжао1, Петров В.Н.2, Цырлин Г.Э.2, Бимберг Д.3, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Institute fur Festkorperphysik, Berliner Technische Universitat, Berlin, Germany
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Institute fur Festkorperphysik, Berliner Technische Universitat, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 29 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Были проведены исследования формирования квантовых точек InAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии в режиме субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии на поверхностях GaAs(100) с различными углами и направлениями разориентации. Показано, что при осаждении 2 монослоев InAs увеличение угла разориентации выше 3o вдоль направлений [010], [011] и [011] приводит к формированию нескольких групп квантовых точек, различающихся как геометрическими размерами, так и электронной структурой.
- L. Goldstein, F. Glass, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
- P.M. Petroff, S.P. Den Baars. Superlat. Microstr., 15, 15 (1994)
- M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
- Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 351 (1996)
- Ж.И. Алферов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев, И.В. Кочнев, В.В. Комин, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, С.С. Рувимов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 357 (1996)
- Ю.М. Шерняков, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Зайцев, А.Р. Ковш, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, Чжао Чжэнь, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Письма ЖТФ, 23, 51 (1997)
- N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S. Zaitsev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele. Invited paper for Conf. "Modulated Semiconductor Structures" (MSS-7)
- Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N. Kobayashi. Phys. Rev. Lett., 75, 2542 (1995)
- А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков. П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 30, 1682 (1996)
- А. Sasaki. Thin Sol. Films, 267, 24 (1995)
- Г.Э. Цырлин, А.О. Голубок, С.Я. Типисев, Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1697 (1995)
- G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polykov, V.N. Demidov, N.P. Korneeva, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, V.G. Dubrovskii, G.M. Guryanov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Peterburg, Russia, 1996) p. 375
- G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
- В.В. Губанов, Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 19, 73 (1993)
- Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко. Г.Э. Цырлин. ЖТФ, 67, N 8, 111 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
