Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов
Бочкарева Н.И.1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 13 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Изучено температурное поведение высокочастотной проводимости поверхностных электронных каналов в диодах Шоттки на основе высокоомного p-Si, содержащего приповерхностные окислительные дефекты упаковки. Показано, что обратимые температурные изменения поверхностного изгиба зон и работы выхода Si в области температур 80/300 K имеют ступенчатый характер. Сделан вывод о том, что при охлаждении от 180 до 80 K поверхностная концентрация свободных электронов растет при характерных для упорядочения диполей воды температурах. Эти эффекты связываются со структурированием адсорбированной на границе Si-SiO2 воды и с упорядоченной ориентацией диполей воды на поверхности при вымораживании их вращательной подвижности.
- А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
- T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
- М.С. Каган, Е.Г. Ландсберг. ФТП, 8, 125 (1974)
- Н.И. Бочкарева. ФТП, 25, 537 (1991)
- Г.А. Катрич, Д.И. Моисеев. ФТТ, 27, 2588 (1985)
- С.И. Кириллова, М.Д. Моин, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, В.А. Чернобай, И.Н. Дубров. ФТП, 26, 1399 (1992)
- С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Поверхность, N 11, 74 (1991)
- С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. ФТП, 30, 118 (1996)
- Н.И. Бочкарева, С.С. Рувимов. ФТП, 26, 872 (1992)
- N.I.Bochkareva, J. Heydenreich, S. Ruvimov, R. Scholz, K. Scheerchmidt, L.M. Sorokin. Sol. St. Phynomena, 32--33, 565 (1993)
- Н.И. Бочкарева. ФТП, 28, 290 (1994)
- J. Kaniewski, M. Kaniewska, A.R. Peaker. Appl. Phys. Lett., 60, 359 (1992)
- Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, С.С. Рувимов, Д.В. Тархин, А.А. Ситникова, Ю.Г. Шретер. ФТТ, 34, 1513 (1992)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
- M.-C. Bellisent-Funel, J. Lal, L.J. Bosio. J. Chem. Phys., 98, 4246 (1993)
- J.C. Dore, M. Dunn, P. Chieux. J. de Phys. Coll. C1, 48, 457 (1987)
- P. Omling, E.R. Weber, L. Montelius, H. Alexander, J. Michel. Phys. Rev. B, 32, 6571 (1985)
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
- А. Блихер. Физика биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
- J. Nishizawa, T. Terasaki, J. Shibata. JEEE Trans. Electron. Dev., ED-22, 185 (1975)
- В.Ф. Киселев. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках (М., Наука, 1970)
- G.P. Johari, A. Hallbrucker, E.J. Mayer. J. Chem. Phys., 95, 2955 (1991)
- A. Spitzer, A. Ritz, H. Luth. Surf. Sci., 152/153, 543 (1989)
- Н.Д. Гаврилова, Ю.П. Козлова, А.М. Козлов, А.Н. Израиленко. ФТТ, 26, 2884 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
