Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 1 » Статья стр. 82
<<<>>>
Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов
Бочкарева Н.И.1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
PDF версия
Изучено температурное поведение высокочастотной проводимости поверхностных электронных каналов в диодах Шоттки на основе высокоомного p-Si, содержащего приповерхностные окислительные дефекты упаковки. Показано, что обратимые температурные изменения поверхностного изгиба зон и работы выхода Si в области температур 80/300 K имеют ступенчатый характер. Сделан вывод о том, что при охлаждении от 180 до 80 K поверхностная концентрация свободных электронов растет при характерных для упорядочения диполей воды температурах. Эти эффекты связываются со структурированием адсорбированной на границе Si-SiO2 воды и с упорядоченной ориентацией диполей воды на поверхности при вымораживании их вращательной подвижности.
  1. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
  2. T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
  3. М.С. Каган, Е.Г. Ландсберг. ФТП, 8, 125 (1974)
  4. Н.И. Бочкарева. ФТП, 25, 537 (1991)
  5. Г.А. Катрич, Д.И. Моисеев. ФТТ, 27, 2588 (1985)
  6. С.И. Кириллова, М.Д. Моин, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, В.А. Чернобай, И.Н. Дубров. ФТП, 26, 1399 (1992)
  7. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Поверхность, N 11, 74 (1991)
  8. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. ФТП, 30, 118 (1996)
  9. Н.И. Бочкарева, С.С. Рувимов. ФТП, 26, 872 (1992)
  10. N.I.Bochkareva, J. Heydenreich, S. Ruvimov, R. Scholz, K. Scheerchmidt, L.M. Sorokin. Sol. St. Phynomena, 32--33, 565 (1993)
  11. Н.И. Бочкарева. ФТП, 28, 290 (1994)
  12. J. Kaniewski, M. Kaniewska, A.R. Peaker. Appl. Phys. Lett., 60, 359 (1992)
  13. Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, С.С. Рувимов, Д.В. Тархин, А.А. Ситникова, Ю.Г. Шретер. ФТТ, 34, 1513 (1992)
  14. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  15. M.-C. Bellisent-Funel, J. Lal, L.J. Bosio. J. Chem. Phys., 98, 4246 (1993)
  16. J.C. Dore, M. Dunn, P. Chieux. J. de Phys. Coll. C1, 48, 457 (1987)
  17. P. Omling, E.R. Weber, L. Montelius, H. Alexander, J. Michel. Phys. Rev. B, 32, 6571 (1985)
  18. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
  19. А. Блихер. Физика биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)
  20. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  21. J. Nishizawa, T. Terasaki, J. Shibata. JEEE Trans. Electron. Dev., ED-22, 185 (1975)
  22. В.Ф. Киселев. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках (М., Наука, 1970)
  23. G.P. Johari, A. Hallbrucker, E.J. Mayer. J. Chem. Phys., 95, 2955 (1991)
  24. A. Spitzer, A. Ritz, H. Luth. Surf. Sci., 152/153, 543 (1989)
  25. Н.Д. Гаврилова, Ю.П. Козлова, А.М. Козлов, А.Н. Израиленко. ФТТ, 26, 2884 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme