"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические характеристики комплексов, связанных с 1.18 эВ полосой люминесценции в n-GaAs : Sn(Si): результаты исследований фотолюминесценции при поляризованном резонансном возбуждении
Гуткин А.А.1, Пиотровский Т.1, Пулторак Е.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Экспериментальные значения поляризации низкотемпературного излучения комплексов VGaSnGa и VGaSiGa в n-GaAs при резонансном возбуждении поляризованным светом, распространяющимся вдоль кристаллографического направления [110] и [100], сопоставлены с выражениями, полученными в классическом дипольном приближении для дефектов триклинной и моноклинной симметрии. Показано, что доля ротатора в суперпозиции ротатора и осциллятора, представляющей излучение комплекса, составляет 17/18%. Направление оси этих диполей, удовлетворяющее экспериментальным данным, согласуется с предположением, что влияние донора на вакансионные орбитали дырки, локализованной на комплексе, меньше, чем влияние эффекта Яна--Теллера. При этом симметрия комплекса может быть как моноклинной, так и триклинной. В обоих случаях отклонение оси оптического диполя комплекса от направления оси диполя изолированной VGa, искаженной вследствие эффекта Яна--Теллера, для комплексов VGaSnGa и VGaSiGa меньше, чем для комплексов VGaTeAs. Последнее означает, что влияние донора на электронную структуру комплекса в VGaTeAs больше, чем в VGaSnGa и VGaSiGa. Это согласуется с различием в положении донора в этих комплексах.
  1. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  2. S.Y. Chiang, G.L. Pearson. J. Lumm., 10, 313 (1975)
  3. И.А. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейкман. ФТТ, 27, 748 (1985)
  4. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991)
  5. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1516 (1993)
  6. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
  7. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062, (1997)
  8. A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. In: Defects in Semiconductors 18, ed. by M. Suezawa and H. Katayama-Yoshida (Mater. Sci. Forum, 196-201, pt. 1, 1995) p. 231
  9. N.S. Averkiev, A.A. Gutkin, S.Yu. Il'inskii, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Zeitschrift fur Physicalische Chemie, 200, 209 (1997)
  10. F.C. Rong, W.A. Barry, J.F. Donegan, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 54, 7779 (1996)
  11. Е.Е. Букке, Н.Н. Григорьев, М.В. Фок. Тр. ФИАН, 79, 108 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.