"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние интенсивности gamma-излучения на фотолюминесценцию GaAs : Te
Дубовик В.И.1, Богданова В.А.1, Давлеткильдеев Н.А.1, Семиколенова Н.А.1, Шутяк О.А.1
1Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Приведены результаты исследований по влиянию gamma-излучения (60Co) различной интенсивности (Pgamma~ 1.7/7.5 кГр/ч) на фотолюминесценцию (ФЛ) монокристаллов GaAs : Te (n0=1.2/ 2.3·1018 см-3). Наряду с известными примесной (hnumax~1.2 эВ и(или) hnumax~1.35 эВ ) и краевой (hnumax~1.51 эВ) ФЛ в спектре обнаружены новые полосы hnumax~1.3 эВ и hnumax~ 1.48 эВ. Наблюдаемые эффекты объясняются радиационно-стимулированным упорядочением донорной примеси и глубоких примесных центров.
  1. В.А. Богданова, Н.А. Семиколенова. ФТП, 26, 818 (1992)
  2. В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, В.И. Дубовик, Н.А. Семиколенова. Тез. докл. II Рос. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, СПб., 1996) с. 127.
  3. V.A. Bogdanova, V.I. Dubovic, V.V. Prudnikov, N.A. Semicolenova. Int. Conf. Sol. St. Dev. and Mater. (Osaka, Japan, 1995) p. 1057.
  4. К.Д. Глинчук, В.Ф. Коваленко, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 2, 46 (1991)
  5. V.V. Prudnikov, I.A. Prudnikova, N.A. Semikolenova. Phys. St. Sol. (b), 187, 87 (1994)
  6. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  7. Точечные дефекты в твердых телах: Сб. статей (М., Мир, 1979)
  8. Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
  9. В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, К. Лукат. ФТП, 14, 1834 (1980)
  10. P.F. Fewester. J. Phys. Chem. So., 42, 883 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.