"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Состояния собственных дефектов в монокристаллических пленках PbTe, выращенных модулированной лазерным излучением эпитаксией
Пляцко С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Исследованы электрофизические свойства слоев PbTe/KCl(KBr), выращенных методом модулированной ларезным ИК излучением эпитаксии, в области различных значений технологических параметров: плотности, мощности W лазерного излучения на мишени и температуры Ts подложки. Установелно, что температурная зависимость постоянной Холла RH(T) определяется донорными уровнями, один из которых находится в зоне проводнимости (Ed1), а второй Ed2 --- в запрещенной зоне. Плотность состояний на уровнях и их энергетическое положение зависят от условий роста.
  1. S. Prussin. J. Appl. Phys., 32, 1876 (1961)
  2. В.А. Пантелеев, В.А. Муравьев. ФТТ, 19, 682 (1977)
  3. F.F. Sizov, S.V. Plyatsko. S.D. Darchuk. Infr. Phys., 27, 249 (1987)
  4. Ю.С. Громовой, Л.А. Коровина, С.В. Пляцко, Ф.Ф. Сизов, С.Д. Дарчук, С.А. Белоконь. ФТП, 24, 250 (1990)
  5. Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Mater. Lett., 8, 11-12, 495 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.