"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута
Журавлев К.С.1, Шамирзаев Т.С.1, Якушева Н.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Изучены люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs : Mn, впервые полученных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута. Показано, что легирование арсенида галлия марганцем приводит не только к образованию акцепторов -марганец на месте галлия, но и к появлению центров излучательной и безызлучательной рекомбинаций, концентрации которых возрастают при повышении уровня легирования. Сильно связанный с решеткой центр излучательной рекомбинации наблюдается впервые, и высокая концентрация таких центров обусловлена, по-видимому, методом получения материала. Определена энергия ионизации центра излучательной рекомбинации, которая равна 41 мэВ.
  1. by 0pt minus 0.04pt
  2. J.S. Blakemore, W.J. Brown, M.L. Stass, D.A. Woodbury. J. Appl. Phys., 44, 3352 (1973)
  3. M. Ilegems, R. Dingle, L.W. Rupp. J. Appl. Phys., 46, 3059 (1975)
  4. P. Kordos, L. Jansak, V. Benc. Sol. St. Electron., 18, 223 (1975)
  5. L. Montelius, S. Nilsson, L. Samuelson, E. Janzen, M. Ahlstrom. J. Appl. Phys., 64, 1564 (1988)
  6. T.C. Lee, W.W. Anderson. Sol. St. Commun., 2, 265 (1964)
  7. W. Schairer, M. Schmidt. Phys. Rev. B, 10, 2501 (1974)
  8. P.W. Yu, Y.S. Park. J. Appl. Phys., 50, 1097 (1979)
  9. L. Montelius, S. Nilsson, L. Samuelson. Phys. Rev. B, 40, 5598 (1989)
  10. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков. Препринт ФТИ N 1201 (Л., 1988).
  11. S.J.C.H.M. van Gisbergen, A.A. Ezhevkii, N.T. Son, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 49, 10 999 (1994)
  12. F. Fabre, G. Bacquet, J. Frandon, J. Bandet, R. Taouint. Sol. St. Commun., 71, 717 (1989).
  13. В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов, Е.В. Малисова, Э.Н. Мельченко, В.С. Морозов, М.П. Никифорова, Е.А. Попова, С.С. Хлудков. В сб.: Легирование полупроводников (М., Наука, 1982) с. 32
  14. N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegai. Cryst. Res. Technol., 24, 235 (1989)
  15. Р.Х. Акчурин, И.О. Донская, С.И. Дулин, В.Б. Уфимцев. Кристаллография, 33, 464 (1988)
  16. Н.А. Якушева. Тез. докл. VI Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (М., Наука, 1988) с. 51
  17. L. Gouskov, S. Bilac, J. Pimentel, A. Gouskov. Sol. St. Electron., 20, 653 (1997)
  18. D.C. Look, G.S. Pomrenke. J. Appl. Phys., 54, 3249 (1983)
  19. P.W. Yu. Phys. Rev. B, 27, 7779 (1983)
  20. D.L. Dexter. Sol. St. Phys., ed. by F. Seitz, D. Turnbull (N.Y., 1958) v. 6, p. 355
  21. К.К. Ребане. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов (М., Наука, 1968).
  22. E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals (Academic Press, N.Y., 1972) v. 8. p. 321
  23. C.C. Klick, J.H. Shulman. Sol. St. Phys., ed. by F. Seitz, D. Turnbull (N.Y., 1957) v. 5, p. 97
  24. K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, V.E. Rodionov, V.I. Vovnenko. Phys. St. Sol. (a) 48, 593 (1978).
  25. Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986)
  26. Э.М. Адирович. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов (М., Гос. изд-во технико-теоретической лит., 1956).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.