Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS / p-InP

Ботнарюк В.М.¹, Горчак Л.В.¹, Диакону И.И.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³

¹Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдавия
²Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 июля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

PDF версия

Поляризационный метод фотоактивного поглощения гетеропереходов CdS/InP использован для исследования процессов фотопреобразования в зависимости от ориентации подложек из фосфида индия. Результаты этих исследований демонстрируют чувствительность фотоэлектрических процессов к нескольким факторам, включая кристаллографическую ориентацию подложек из p-InP и оптическое качество слоев CdS. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма этих гетеропереходов растет пропорционально квадрату угла падения (P_I~Theta²). Гетеропереходы CdS/InP могут найти применение как поляризационно-фоточувствительные приборы.

К. Хилсум, А. Роуз-Инс. Полупроводники типа A^IIIB^V (М., ИИЛ, 1963)
О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
Физики и химия соединений A^IIB^VI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
J.L. Shay, S. Wagner, K. Bachman, E. Buehler. J. Appl. Phys., 47, 614 (1976)
S. Wagner, J.L. Shay, K. Bachman, E. Buehler. J. Appl. Phys. Lett., 26, 229 (1975)
A. Yoshikawa, Y. Sakai. Sol. St. Electron., 20, 133 (1977)
K. Ito, T. Ohsawa. Jap. J. Appl. Phys., 14, 1259 (1975)
А.В. Симашкевич. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A^IIB^VI (Кишинев, 1980).
V.M. Botnaryuk, L.V. Gorchak, C.M. Grigorjeva, M.B. Kogan, T.A. Kozyneva, L.L. Lyubashevskaya, C.V. Russu, A.V. Simashkevich. Sol. Energy Mater., 20, 359 (1990).
Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, 68 (1986)
G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)
Физико-химические свойства полупроводниковых материалов (М., Наука, 1978)
Г.Л. Ландсберг. Оптика (М., 1976)
Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Л.М. Федоров. ФТП, 27, 1610 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель