"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Межпримесное поглощение света в тонких проволоках полупроводников типа AIIIBV
Джотян А.П.1, Казарян Э.М.1, Чиркинян А.С.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Республика Армения
Поступила в редакцию: 20 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Рассмотрено межпримесное поглощение света в тонких слабо легированных проволоках полупроводников типа AIIIBV с кейновским законом дисперсии носителей заряда при учете одномерного хаотического распределения примесей. Исследован ход кривой поглощения: найдено пложение максимумов поглощения, соответствующих переходам с основного акцепторного уровня на основной и первый возбужденный уровни донора в проволоке, их края и полуширины. Показано, что непараболичность, приводящая к реализации переходов между основными состояниями примеси, вызывает резкое отдаление этой линии поглощения от остальных.
  1. А.П. Джотян, Э.М. Казарян, А.С. Чиркинян. ФТП, 30, 1085 (1996)
  2. G.M. Dohler. Phys. Stat. Sol. (b), 45, 705 (1971)
  3. E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  4. H.N. Spector, J. Lee. Amer. J. Phys., 53, 248 (1985)
  5. С.Л. Арутюнян, Э.М. Казарян. Изв. АН АрмССР. Физика, 12, 16 (1977)
  6. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., 1978)
  7. Э.М. Казарян, А.А. Киракосян. Сб. ВИМИ Рипорт, В4 (1975)
  8. А.А. Киракосян, Э.А. Саркисян. Изв. АН АрмССР. Физика, 19, 129 (1984)
  9. Е. Янке, Ф. Эмде, Ф. Леш. Специальные функции (М., 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.