Вышедшие номера
Характеризация электрофизическими и оптическими методами гетероструктур GaAs/InxGa1-xAs с квантовыми точками
Алешкин В.Я.1, Гапонова Д.М.1, Гусев С.А.1, Данильцев В.М.1, Красильник З.Ф.1, Мурель А.В.1, Парамонов Л.В.1, Ревин Д.Г.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Приводятся результаты электрофизических и оптических исследований гетероструктур GaAs/InxGa1-xAs с целью идентификации квантовых точек и развития технологии их роста в процессе спонтанной трансформации слоя твердого раствора InxGa1-xAs. Методом C-V-профилирования выявлен поверхностный заряд на глубине залегания квантовых точек и оценена поверхностная плотность этих образований в зависимости от времени осаждения узкозонного материала. Методом фотолюминесценции изучены особенности заполнения электронных состояний в квантовых точках при изменении уровня возбуждения. Обсуждается роль кулоновского взаимодействия в оптических свойствах квантовых точек.