Характеризация электрофизическими и оптическими методами гетероструктур GaAs/InxGa1-xAs с квантовыми точками
Алешкин В.Я.1, Гапонова Д.М.1, Гусев С.А.1, Данильцев В.М.1, Красильник З.Ф.1, Мурель А.В.1, Парамонов Л.В.1, Ревин Д.Г.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Приводятся результаты электрофизических и оптических исследований гетероструктур GaAs/InxGa1-xAs с целью идентификации квантовых точек и развития технологии их роста в процессе спонтанной трансформации слоя твердого раствора InxGa1-xAs. Методом C-V-профилирования выявлен поверхностный заряд на глубине залегания квантовых точек и оценена поверхностная плотность этих образований в зависимости от времени осаждения узкозонного материала. Методом фотолюминесценции изучены особенности заполнения электронных состояний в квантовых точках при изменении уровня возбуждения. Обсуждается роль кулоновского взаимодействия в оптических свойствах квантовых точек.
- Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, Ю.А. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 351 (1996)
- Ж.И. Алферов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев, И.В. Кочнев, В.В. Комин, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, С.С. Рувимов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 357 (1996)
- В.Я. Алешкин, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 25, 1047 (1991)
- P.N. Brounkov, S.G. Konnikov, T. Benyatton, G. Guillot. Phys. Low-Dim. Struct., 10/11, 197 (1995)
- П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996)
- В.Я. Алешкин, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин. ФТП, 27, 1190 (1993)
- M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Herdenreih, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
- J.-Y. Martin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard. Phys. Rev. Lett., 73, 716 (1994)
- Б.Н. Звонков, Е.Р. Линькова, И.Г. Малкина, Д.О. Филатов, А.Л. Чернов. Письма ЖЭТФ, 63, 418 (1996)
- W.J. Schaffer, M.D. Lind, S.P. Kowalchuk,, R.V. Grant. J. Vac. Sci. Technol., B1, 688 (1983)
- M. Grundman, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B52, 11969 (1995)
- P. Blood, Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
- Ю.А. Данилов, А.В. Мурель, И.Ю. Дроздова. Высокочистые вещества, 2, 71 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.