Вышедшие номера
Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором
Казанский А.Г.1, Ларина Э.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Исследована релаксация темновой проводимости пленок a-Si : H, легированных бором, после их освещения в интервале температур 360-470 K. Показано, что выбор условий освещения пленок (времени освещения и температуры) позволяет на основании изучения релаксации проводимости независимо исследовать релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов типа оборванных связей и релаксацию концентрации метастабильных состояний, связанных с примесными атомами. Как в первом, так и во втором случае релаксация происходит по закону растянутой экспоненты. Определены основные параметры, характеризующие релаксацию, и их температурные зависимости. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели распределения энергий отжига, созданных светом метастабильных состояний.