"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу II типа для одиночных гетероструктур Ga1-xInxAsySb1-y/InAs(GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зон Delta на гетерогранице. Экспериментально установлено, что для структуры Ga1-xInxAsySb1-y/p-InAs разъединенный тип гетероперехода II типа наблюдается во всем интервале исследуемых составов, 0.03<x<0.23, и становится ступенчатым в интервале составов с 0.3<x<1. В гетероструктурах p-Ga1-xInxAsySb1-y/p-GaSb при содержании индия в твердой фазе 0.85<x<0.92 наблюдается дырочный тип проводимости, что свидетельствует о ступенчатом характере гетероперехода. При значении x>0.92 наблюдался вклад в проводимость электронов из полуметаллического канала на гетерогранице и переход от ступенчатого к разъединенному типу гетероперехода. PACS: 73.40.-c, 73.40.Kp, 73.50.Dn
  1. A.I. Nadezhdinsky, A.M. Prokhorov. SPIE, 1724, 2 (1992)
  2. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 12, 664 (1986)
  3. J.C. DeWinter, M.A. Pollak, A.K. Srivastava, J.L. Zyskind. J. Electron. Mater., 14, 729 (1995)
  4. T.S. Hasenberg, R.H. Miles, A.R. Kost, L. West. IEEE J. Quant. Electron., 33, 1403 (1997)
  5. A.N. Baranov, N. Bertu, J. Cuminal, G. Boissier, C. Alibert, A. Joullie. Appl. Phys. Lett., 71, 735 (1997)
  6. К.Д. Моисеев, О.Г. Ершов, М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23, 151 (1997)
  7. А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Е.А. Сидоренкова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 15, 71 (1989)
  8. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 996 (2003)
  9. Н.Д. Стоянов, М.П. Михайлова, О.В. Андрейчук, К.Д. Моисеев, И.А. Андреев, М.А. Афраилов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 467 (2003)
  10. V.I. Perel', S.A. Tarasenko, I.N. Yassievich, S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, W. Prettl. Phys. Rev. B, 67, 201 304 (2003)
  11. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  12. C.A. Sai-Halasz, L. Esaki, W. Harrison. Phys. Rev. B, 18, 2812 (1978)
  13. H. Kroemer, G. Griffits. Electron. Dev. Lett., 4, 20 (1983)
  14. К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1438 (2000)
  15. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
  16. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, A.F. Lipaev, Yu.P. Yakovlev. Proc. 14th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2006) p. 180
  17. C.G. Van der Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1987)
  18. Handbook of Electronic Materials, ed. by M. Neuberger (IFI/plemun, N.Y., 1971) v. II, p. 258
  19. К.Д. Моисеев, А.А. Торопов, Я.В. Терентьев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1432 (2000)
  20. K.D. Moiseev, A. Krier, Yu.P. Yakovlev. J. Electron. Mater., 33, 867 (2004)
  21. М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, В.В. Шерстнев, И.Н. Яссиевич, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 1397 (1990)
  22. F. Karouta, H. Mani, J. Bhan, J. Hua, A. Joullie. Rev. Phys. Appl., 22, 145 (1987)
  23. А.Н. Баранов, А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖПХ, 67, 1951 (1994)
  24. R. Magri, A. Zunger, H. Kroemer. J. Appl. Phys., 98, 043 701 (2005)
  25. С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.В. Зотова, Е.А. Гребенщикова, Ю.П. Яковлев, Э. Гулициус, Т. Шимичек, К. Мелихар, И. Панграц. Письма ЖТФ, 27, 966 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.