"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние напряженного Si-слоя на фотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях
Шалеев М.В.1, Новиков А.В.1,2, Яблонский А.Н.1, Кузнецов О.А.3, Дроздов Ю.Н.1,2, Красильник З.Ф.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Представлены результаты исследований фотолюминесценции структур с Ge(Si)-самоформирующимися островками, встроенными в напряженный Si-слой. Структуры были выращены на гладких релаксированных Si1-xGex/Si(001) (x=20-30%) буферных слоях. Обнаруженный в спектрах фотолюминесценции исследованных структур пик фотолюминесценции связывается с непрямым в реальном пространстве оптическим переходом между дырками, локализованными в Ge(Si)-островках, и электронами, локализованными в напряженных Si-слоях над и под островком. Продемонстрирована возможность эффективного управления положением пика фотолюминесценции от данного типа структур путем изменения толщин напряженных Si-слоев. Обнаружено, что при 77 K интенсивность сигнала фотолюминесценции от гетероструктур с Ge(Si)-cамоформирующимися островками, заключенными между напряженными Si-слоями, на порядок превосходит интенсивность сигнала фотолюминесценции от структур Ge(Si) c островками, сформированными на Si(001)-подложках. PACS: 81.07.Ta, 78.55.--m, 78.67.Hc, 71.20.Nr, 68.37.Ps, 81.15.Hi
  1. L. Vescan, T. Stoica. J. Luminesc., 80, 485 (1999)
  2. K. Eberl, O.G. Schmidt, R. Duschl, O. Kienzle, F. Ernst, Y. Rau. Thin Sol. Films, 369, 33 (2000)
  3. H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66 (8), 953 (1995)
  4. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67 (1), 46 (1998).
  5. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15, 1125 (2000)
  6. K. Eberl, O.G. Schmidt, O. Kienzle, F. Ernst. Thin Sol. Films, 373, 164 (2000)
  7. O.G. Schmidt, K. Eberl, Y. Ray. Phys. Rev. B, 62, 16 715 (2000)
  8. F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol., 12, 1515 (1997)
  9. M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 88, 011 914 (2006)
  10. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, А.В. Новиков, В.А. Перевощиков, М.В. Шалеев. Микроэлектроника, 34 (4), 1 (2005)
  11. N. Usami, K. Leo, Y. Shiraki. J. Appl. Phys., 85 (4), 2363 (1999)
  12. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев. ФТП, 40, 235 (2006)
  13. N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskii, Z.F. Krasilnik, A.N. Ankudinov, M.S. Dunaevskii, A.N. Titkov, P. Lytvyn, V.U. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh. In: Quantum Dots: Fundamentals, Applications, and Frontiers, ed. by B.A. Joyce et al. (Springer 2005, printed in Netherlands) p. 333
  14. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76 (6), 425 (2002)
  15. P. Sutter, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 81, 3471 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.