Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs
Солдатенков Ф.Ю.1, Данильченко В.Г.1, Корольков В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 11 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
На примере гетероструктур InGaAs/GaAs изучена возможность управления эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда посредством контролируемого рассогласования по параметру решетки сопрягаемых материалов гетероструктуры. Установлена связь между соотношением толщины и состава слабо легированных слоев твердого раствора InGaAs и временем жизни неравновесных носителей заряда, что позволяет управлять временем жизни неравновесных носителей заряда в пределах от единиц наносекунд до микросекунды без существенного изменения концентрации подвижных носителей заряда. На основе проведенных исследований изготовлены импульсные p+-p0-pi-n0-n+-диоды, блокирующие напряжения до 500 В, коммутирующие токи >~= 10 A при временах переключения, не превышающих 10 нс. PACS: 68.55.Ln, 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.15.Gh, 85.30.De, 85.30.Kk
- Ж.И. Алфёров, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 2 (2), 201 (1976)
- В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ю.Н. Лузин, С.И. Пономарёв, А.В. Рожков, Г.И. Цвилёв. Электрон. техн., сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, вып. 5 (88), 30 (1981)
- Л.Я. Золотаревский. Автореф. канд. дисс. (НИИ ТЭЗ им. М.И. Калинина, Таллин, 1984)
- G. Achkinazi, M. Leibovich, B. Meyler, M. Nathan, L. Zolotarevski, O. Zolotarevski. USA Pat. N 5733815, опубликован 31.03.1998
- Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34 (5), 558 (2000)
- V.V. Chaldyshev, S.V. Novikov. In: Semiconductor technology: Processing and novel fabrication techniques, ed. by M. Levinshtein, M. Shur (John Wiley \& Song, Inc., 1997) p. 165
- J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64 (9), R65 (1988)
- M. Skowronski, J. Lagowski, M. Mil'shtein, C.H. Kang, F.P. Dabkowski, A. Hennel, and H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 62 (9), 3791 (1987)
- T. Wosinski. J. Appl. Phys., 65 (4), 1566 (1989)
- T. Wosinski, O. Yastrubchak, A. Makosa, T. Figielski. J. Phys.: Condens. Mater., 12, 10 153 (2000)
- G.P. Watson, D.G. Ast, T.L. Anderson, B. Pathangey, Y. Hayakawa. J. Appl. Phys., 71 (7), 3399 (1992)
- Ф.Ю. Солдатенков. Автореф. канд. дисс. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб., 2001)
- Ф.Ю. Солдатенков, В.П. Улин, А.А. Яковенко, О.М. Фёдорова, С.Г. Конников, В.И. Корольков. Письма ЖТФ, 25 (21), 15 (1999)
- R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47 (3), 322 (1985); Appl. Phys. Lett., 49 (4), 229 (1986)
- Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводниковых диодов в импульсном режиме (М., Наука, 1968) с. 263
- А. Полищук. Компоненты и технологии, вып. 5, 6 (2004); http://www.ixysrf.com/pdf/briefs/250vGaAsDiodeBrief.pdf
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
