"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства двумерного электронного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs
Козлов Д.А.1, Квон З.Д.1,2, Калагин А.К.2, Торопов А.И.2
1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Изучены транспортные свойства двумерного электронного газа, расположенного на малом расстоянии (15-32.5 нм) от поверхности в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Обнаружены сильное влияние поверхности на поведение проводимости двумерного электронного газа, а также эффект экранирования металлическим затвором рассеяния двумерных электронов на заряженных центрах. PACS: 73.23.-b, 73.40
  1. M.A. Paalanen, D.C. Tsui, A.C. Gossard, J.C.M. Hwang. Phys. Rev. B, 29, 6003 (1984)
  2. M. Heiblum, E.E. Mendez, F. Stern. Appl. Phys. Lett., 44 (11), 1064 (1984)
  3. B.J.F. Lin, D.C. Tsui, M.A. Paalanen, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 45 (6), 695 (1984)
  4. F. Stern. Appl. Phys. Lett., 43 (10), 974 (1983)
  5. В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.И. Торопов, О.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, А.Л. Асеев. Письма ЖЭТФ, 79, 168 (2004)
  6. A. Fuhrer, S. Luscher, T. Ihn, T. Heinzel, K. Ensslin, W. Wegscheider, M. Bichler. Nature, 413, 822 (2001)
  7. J.H. Davies. The Physics of Low-dimensional Semiconductors: An Introduction (Cambridge University Press, 1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.