"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция наностержней оксида цинка
Емельченко Г.А.1, Грузинцев А.Н.2, Кулаков А.Б.1, Самаров Э.Н.1, Карпов И.А.1, Редькин А.Н.2, Якимов Е.Е.2, Barthou C.3
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3Universite P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, Paris Cedex 05, France
Поступила в редакцию: 17 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Исследованы спектры спонтанного и стимулированного излучения наностержней ZnO, выращенных двумя низкотемпературными методами. Стимулированное излучение при 385 нм наблюдали при комнатной температуре для нанокристаллов ZnO, выращенных методом CVD, при накачке азотным лазером с длиной волны 337 нм. Пороговая плотность мощности накачки для лазерного процесса рекомбинации экситонов составила ~600 кВт/см2. PACS: 78.45.+h, 78.55.Cr, 78.67.Bf
  1. M.H. Huang, S. Mao, H. Fieck, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang. Science, 292, 1897 (2001)
  2. Y.-K. Tseng, H.-S. Hsu, W.-F. Hsieh, K.-S. Kiu, I.-C. Cheng. J. Mater. Res., 18, 2837 (2003)
  3. H. Cao. Optics Photonics News (January 2005) p. 24
  4. H.T. Ng, B. Chen, J. Li, J. Han, M. Meyyappan, J. Wu, S.X. Li, E.E. Haller. Appl. Phys. Lett., 82, 2023 (2003)
  5. C.X. Xu, X.W. Sun, C. Yuen, B.J. Chen, S.F. Yu, Z.L. Dong. Appl. Phys. Lett., 86, 11 118 (2005)
  6. B.P. Zhang, N.T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, N. Usami. Appl. Phys. Lett., 83, 1635 (2003)
  7. G.Z. Wang, N.G. Ma, C.J. Deng, P. Yu, C.Y. To, N.C. Hung, M. Aravind, D.H.L. Ng. Mater. Lett., 58, 2195 (2004)
  8. L. Vayssieres, K. Keis, S.-E. Lindquist, A. Hagfeldt. J. Phys. Chem. B, 105, 3350 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.