"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кремниевый фотодиод с сетчатым p-n-переходом
Блынский В.И.1, Василевский Ю.Г.1, Малышев С.А.1, Чиж А.Л.1
1Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Исследованы кремниевые фотодиоды, p-область которых имеет сетчатую структуру. Получены аналитические выражения для емкости таких фотодиодов. Проведен анализ влияния размеров ячейки и диффузионной длины неосновных носителей заряда на чувствительность кремниевого сетчатого фотодиода в спектральном диапазоне 0.6-1.0 мкм. Приведены экспериментальные характеристики фотодиодов с сетчатым p-n-переходом с размерами ячеек 50 и 110 мкм. Обсуждены факторы, определяющие особенности их спектральной характеристики. PACS: 85.60.Dw, 72.40.+w, 73.50.Pz.
  1. В.И. Блынский, Е.Г. Лозицкий, П.И. Окунь. Электрон. промышленность, 1, 12 (2004)
  2. Е.И. Иванова, Л.Б. Лопатина, В.Л. Суханов, В.В. Тучкевич, Н.М. Шмидт. ФТП, 15, 1343 (1981)
  3. В.И. Блынский. Докл. 9-й науч.-техн. конф. "Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления" (Гурзуф, Украина, 1997) с. 256
  4. S. Malyshev, A. Chizh, Y. Vasileuski. Proc. 5th Int. Conf. Numerical Simulation Optoelectronic Devices (Berlin, Germany, 2005) p. 45
  5. Ю.Г. Василевский. Вестн НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук, 5, 35 (2005)
  6. Интегральные схемы на МДП приборах (М., Мир, 1975) с. 68. [Пер. с англ.: MOS Integrated Circuits, ed. by W. Penny (N.Y.--Cincinnati--Toronto--London--Melbourne, Van Nostrand Reinhold Company, 1972) p. 68]
  7. Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я.М. Федотова (М., Сов. радио, 1973) с. 210

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.