"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами
Алкеев Н.В.1, Аверин С.В.1, Дорофеев А.А.2, Velling P.3, Khorenko E.3, Prost W.3, Tegude F.J.3
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2ГУП НПП "Пульсар", Москва, Россия
3Solid State Electronics Department, Gerhard-Mercator-University, Duisburg, Germany
Поступила в редакцию: 6 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn
  1. C.W.J. Berenakker, H. van Houten. Sol. St. Phys., 44, 1 (1991)
  2. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22, 562 (1973)
  3. European Commission IST programme Future and Emerging Technologies, Technology Roadmap for Nanoelectronics, 2nd ed., November 2000
  4. W.R. Frensley. Appl. Phys. Lett., 51, 448 (1987)
  5. S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 47, 490 (1985)
  6. А.С. Тагер. Электрон. техн. сер. Электроника СВЧ, вып. 9 (403), 21 (1987)
  7. G. Iannaccone, B. Pellegrini. Phys. Rev. B, 52, 17 406 (1995)
  8. Y. Hu, S. Stapleton. J. Appl. Phys., 73, 8633 (1993)
  9. T. Weil, B. Vinter. Appl. Phys. Lett., 50, 1281 (1987)
  10. V.Ya. Aleshkin, L. Reggiani, N.V. Alkeev, V.E. Lyubchenko, C.N. Ironside, J.M.L. Figueiredo, C.R. Stanley. Phys. Rev. B, 70, 115 321 (2004)
  11. Ya.M. Blanter, M. Buttiker. Phys. Rep., 336, 1 (2000)
  12. Н.В. Алкеев, В.Е. Любченко, П. Веллинг, Е. Хоренко, В. Прост, Ф. Тегуде. РЭ, 49 (7), 886 (2004)
  13. J.M. Gering, D.A. Crim, D.G. Morgan, P.D. Coleman. J. Appl. Phys., 61, 271 (1987)
  14. E.R. Brown, C.D. Parker, T.C.L.G. Solner. Appl. Phys. Lett., 54, 934 (1989)
  15. M.N. Feiginov. Appl. Phys. Lett., 78, 3301 (2001)
  16. F.W. Sheard, G. Toombs. Sol. St. Electron., 32, 1443 (1989)
  17. J. Genoe, S. Stapleton, O. Berolo. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-38 (9), 2006 (1991)
  18. J.P. Mattia, A.L. McWhorter, R.J. Aggarwal, F. Rana, E.R. Brown, P. Maki. J. Appl. Phys., 84, 1140 (1998)
  19. H.P. Joosten, H.J.M.F. Noteborn, K. Kaski, D. Lenstra. J. Appl. Phys., 70, 3141 (1991)
  20. В. Фуско. СВЧ цепи (М., Радио и связь, 1990). [Пер. с англ.: V.F. Fusco, Microwave Circuits: Analysis and Computer-Aided Design (Prentice Hall, Englewood Cliffs, N.J., 1987)]
  21. С.Л. Ахназарова, В.В. Кафаров. Оптимизация эксперимента в химии и химической технологии (М., Высш. шк., 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.