"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем
Талалаев В.Г.1,2,3, Новиков Б.В.1, Соколов А.С.1, Штром И.В.1, Tomm J.W.2, Захаров Н.Д.3, Werner P.3, Цырлин Г.Э.4, Тонких А.А.4
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Max-Born-Institut fur Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, Berlin, Germany
3Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle (Saale), Germany
4Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный комплекс Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Исследована фотолюминесценция многослойных структур с квантовыми точками InAs, выращенными в p-n-переходе в GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Образование вертикальных колонок квантовых точек подтвреждено данными просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что естественное увеличение от слоя к слою размеров квантовых точек приводит к их вертикальному объединению вверху колонки. Разбалансирование электронных уровней, вызванное укрупнением квантовых точек, было компенсировано внешним электрическим полем, и достигнут резонанс основных электронных состояний в колонке. Наступление резонансов контролировалось методами фотолюминесценции: стационарной и с временным разрешением. Показано, что при резонансе растут интенсивность фотолюминесценции, излучательное время жизни экситонов (до 0.6-2 нс) и становится малым время туннелирования носителей (менее 150 пс). Вне резонанса туннелирование электронов существенно ускоряется участием продольных оптических фононов. Если участвуют только эти фононы, то время нерезонансного туннелирования между квантовыми точками становится меньше, чем время релаксации носителей из барьера (100 и 140 пс соответственно). PACS: 73.21.-b, 73.63.Kv, 78.67.-n
  1. H. Kamada, H. Gotoh, J. Temmyo, T. Takagahara, H. Ando. Phys. Rev. Lett., 87, 246 401 (2001)
  2. K.S. Gill, N. Maskovitz, L.-C. Wang, M.S. Sherwin, A. Badolato, B. Geradot, P. Petroff. Appl. Phys. Lett., 87, 162 101 (2005)
  3. F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 48, 478 (1986)
  4. S.H. Kwok, H.T. Grahn, M. Ramsteiner, K. Ploog, F. Prengel, A. Wacker, E. Schoell, S. Murugkar, R. Merlin. Phys. Rev. B, 51, 9943 (1995)
  5. Z.R. Wasilewski, S. Fafard, J.P. McCaffrey. J. Cryst. Growth, 201--202, 1131 (1999)
  6. V.G. Talalaev, B.V. Novikov, M.A. Smirnov, V.V. Kachkanov, G. Gobsch, R. Goldhahn, A. Winzer, G.E. Cirlin, V.A. Egorov, V.M. Ustinov. Nanotechnology, 13, 143 (2002)
  7. B. Ilahi, L. Sfaxi, F. Hassen, L. Bouzaiene, H. Maaref, B. Salem, G. Bremond, O. Marty. Phys. Status Solidi A, 199, 457 (2003)
  8. G.S. Solomon, J.A. Trezza, A.F. Marshall, J.S. Harris. Phys. Rev. Lett., 76, 952 (1996)
  9. M. Colocci, A. Vinattieri, L. Lippi, F. Bogani, M. Rosa-Clot, S. Taddei, A. Bosacchi, S. Franchi, P. Frigeri. Appl. Phys. Lett., 74, 564 (1999)
  10. S. Lan, K. Akahane, K.-Y. Jang, T. Kawamura, Y. Okada, M. Kawabe, T. Nishimura, O. Wada. Jap. J. Appl. Phys., 38, 2934 (1999)
  11. N. Susa. IEEE J. Quant. Electron., 32, 1760 (1996)
  12. E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett., 60, 2426 (1988); Phys. Rev. B, 40, 1357 (1989)
  13. W. Sheng, J.-P. Leburton. Appl. Phys. Lett., 81, 4449 (2002); Phys. Status Solidi B, 237, 394 (2003)
  14. G.W. Bryant. Phys. Rev. B, 47, 1683 (1993)
  15. D.Y. Oberli, J. Shah, T.C. Damen, J.M. Kuo, J.E. Henry, J. Lary, S.M. Goodnick. Appl. Phys. Lett., 56, 1239 (1990)
  16. O. Verzelen, S. Hameau, Y. Guldner, J.M. Gerard, R. Ferreira, G. Bastard. Jap. J. Appl. Phys., 40, 1941 (2001)
  17. H. Jiang, J. Singh. Physica E, 2, 614 (1998)
  18. F. Findeis, M. Baier, E. Beham, A. Zrenner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 78, 2958 (2001)
  19. W. Sheng, J.-P. Leburton. Phys. Rev. B, 63, 161 301R (2001)
  20. P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, A. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Cullis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
  21. P. Harrison. Quantum wells, wires, and dots: theoretical and computational physics (Chichester, Wiley, 2000)
  22. V.G. Talalaev, J.W. Tomm, N.D. Zakharov, P. Werner, B.V. Novikov, A.A. Tonkikh. Appl. Phys. Lett., 85, 284 (2004)
  23. E.A. Zibik, L.R. Wilson, R.P. Green, J.-P.R. Wells, P.J. Phillips, D.A. Carder, J.W. Cockburn, M.S. Skolnick, M.J. Steer, H.Y. Liu, M. Hopkinson. Semicond. Sci. Technol., 19, S316 (2004)
  24. A. Tackeuchi, T. Kuroda, K. Mase, Y. Nakata, N. Yokoyama. Phys. Rev. B, 62, 1568 (2000)
  25. Y.I. Mazur, Z.M. Wang, G.G. Tarasov, G.J. Salamo, J.W. Tomm, V.G. Talalaev, H. Kissel. Phys. Rev. B, 71, 235 313 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.