"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Амфотерные свойства германия в GaAs : Bi
Чалдышев В.В., Якушева Н.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

Исследованы электрофизические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированного германием и выращенного из галлиевого, висмутового и смешанных растворов-расплавов. Обсуждаются причины изменения концентраций мелких доноров и акцепторов при изменении состава растворителя. Показано, что концентрация доноров обратно пропорциональна содержанию галлия, а концентрация акцепторов - растворимости мышьяка в растворе-расплаве.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.