"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние случайных полей на спектр ЭПР акцепторов MnGa в p-GaAs
Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Красикова О.Г., Осипов Е.Б., Рещиков М.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

В рамках модели нейтрального акцептора MnGa (MnGa2+ + связанная дырка), учитывающей обменное взаимодействие дырки с пятью электронами 3d-оболочки Mn, рассмотрено влияние расщепления основного состояния (полный момент F=1) в случайных электрических или деформационных полях на спектр ЭПР. Вычислены форма, положение и интенсивность линий, соответствующих разрешенным (Delta mF=±1) и запрещенным (Delta mF=±2) переходам, при произвольных соотношениях расщеплений основного уровня в магнитном поле и хаотических полях. Показано, что экспериментальные спектры ЭПР, полученные на лучших образцах, согласуются с расчетными при g-факторе основного состояния ~2.77 и максимальном расщеплении этого состояния в случайных полях 10/30 мкэВ. Указанные значения параметров согласуются с результатами других экспериментов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.