"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы излучательной рекомбинации в ядерно легированном арсениде галлия
Быковский В.А., Гирий В.А., Коршунов Ф.П., Утенко В.И.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

Исследовалась фотолюминесценция (ФЛ) монокристаллов и эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированного методом ядерных реакций при облучении тепловыми нейтронами. Анализ спектров ФЛ в процессе отжига слабо легированных материалов (n<1·1017 см-3) показал, что рекомбинация обусловлена межзонными и межпримесными переходами с участием остаточных акцепторов углерода и образовавшихся при ядерных трансмутациях акцепторов германия. В сильно легированных материалах (n>5·1017 см-3) наблюдается сдвиг краевой полосы ФЛ в высокоэнергетическую сторону при отжиге, что связывается с переходами на перестраивающуюся полосу акцепторных состояний. Установлено, что часть атомов германия, образовавшихся при ядерных трансмутациях, замещает атомы мышьяка и проявляет свойства акцепторов. Остаточные технологические акцепторы углерода способны к взаимодействию с радиационными дефектами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.