"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
Барановский С.Д., Шкловский Б.И.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

Теоретически исследуются и сравниваются модели туннельной излучательной рекомбинации для легированного сильно компенсированного кристаллического полупроводника и аморфного полупроводника. Для обеих моделей строится картина стационарного состояния системы при постоянной фотогенерации носителей. Получены зависимости концентрации неравновесных носителей и положения максимума люминесценции от скорости генерации. При увеличении скорости генерации спектр люминесценции сдвигается в коротковолновую сторону. В легированном полупроводнике это происходит благодаря экранировке неравновесными носителями крупномасштабного кулоновского потенциала, а в аморфном полупроводнике --- благодаря заполнению локализованных состояний хвостов зон неравновесными носителями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.