"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов
Ломако В.М., Старостин П.Я.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

Изучается влияние электрического поля радиационно-введенных областей скопления дефектов (ОСД) в арсениде галлия на рекомбинацию носителей заряда. Показано, что распределение концентрации неравновесных неосновных носителей заряда как функция потенциала барьера Delta pc(psi) из-за действия электрического поля ОСД обнаруживает сильное отклонение от известного больцмановского выражения. Установлено, что вид зависимости времени жизни tau от уровня возбуждения delta коррелирует с видом потенциальной функции распределения концентрации носителей Delta pc(psi): 1) зависимость tau(delta) является немонотонной, если Delta pc(psi) сильно отличается от больцмановского выражения; 2) tau~=const или tau убывает с ростом delta, если функция Delta pc(psi) совпадает с больцмановским выражением или близка к нему.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.