"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: донорный уровень в GaAs1-xPx
Зубков В.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В.
Выставление онлайн: 20 декабря 1988 г.

Рассмотрены особенности нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в твердых растворах полупроводников, связанные с наличием в них флуктуирующего потенциала, приводящего к расщеплению и сдвигу энергетических уровней дефектов. В предположении Гауссова уширения ГУ проведено моделирование спектров НЕСГУ, позволяющее по экспериментальным данным корректно определять среднюю энергию ионизации, дисперсию распределения и концентрацию глубоких центров в твердых растворах. В качестве примера исследован донорный уровень в GaAs1-xPx. Его энергия ионизации составляла 195 мэВ в GaP и возрастала до 370 мэВ при x=0.62. В области прямозонных составов средняя энергия ионизации была практически неизменной и равной ~340 мэВ. Концентрация центров равнялась (2/5)·1015 см-3 в GaP, становилась максимальной (1016 см-3) при x=0.41 и резко падала с приближением к GaAs. При x< 0.18 уровень не наблюдался. Определена дисперсия уширения ГУ в зависимости от состава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.