Проведено исследование кинетики фотоотклика V_ф(t) зарядовых релаксационных характеристик гетероструктур (ГС) n-GaAs-Al_0.3Ga_0.7As и n-GaAs-Al_0.3Ga_0.7As-n-GaAs с изолирующим слоем Al_0.3Ga_0.7As, изготовленных МОС гидридным методом на n⁺-GaAs-подложках. Показано, что анализ зависимостей V_ф(t), полученных при больших интенсивностях импульсного освещения, позволяет определять изгиб зон в эпитаксиальных слоях GaAs на границе с изолирующим слоем Al_0.3Ga_0.7As и находить величину изменения изгиба зон в каждом из слоев при приложении напряжения смещения. Изучение кинетики фотоотклика и спектров Q-DLTS структур с различной толщиной эпитаксиальных слоев показало, что обедняющие изгибы зон в слоях n-GaAs на границе с изолирующим слоем Al_0.3Ga_0.7As в значительной степени обусловлены наличием в Al_0.3Ga_0.7As фиксированного отрицательного заряда, а обнаруженные процессы перезарядки, протекающие с энергиями активации 0.5 и 0.35 эВ (два пика в спектрах Q-DLTS), связаны с ловушками в Al_0.3Ga_0.7As, интегральная плотность которых не превышает ~5·10¹⁴ см^-3. Спектры Q-DLTS получены при использовании как температурной развертки, так и развертки по временному окну.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.