"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние последовательного сопротивления на термостимулированный ток в p-n-переходе
Урманов Н.А.1, Гафурова М.В.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 2 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Теоретически рассмотрен термостимулированный ток в n+-p-переходе с большим последовательным сопротивлением. При наличии сопротивления спектр термостимулированного тока может изменяться существенным образом. В случае, когда сопротивление экспоненциально растет при понижении температуры, в спектре появляется ''ложный'' пик в отсутствие глубоких центров. Получено соотношение между положением ''ложного'' пика и параметров модели. Выполнены расчеты спектров. При наличии одного типа глубоких центров получены спектры с двумя пиками, либо с одним пиком, но сильно смещенным к высоким температурам.
  1. Н.А. Урманов, М.Н. Степанова. ФТП, 27, 1495 (1993)
  2. M.G. Buehler. Sol. St. Electron., 14, 182 (1972)
  3. Н.А. Урманов, М.В. Гафурова. ФТП, 27, 1572 (1993)
  4. C.T. Sah, L. Forbes, L.L. Rosier, A.F. Tash. Sol. St. Electron., 13, 759 (1970)
  5. И.С. Градштейн, И.М. Рыжик. \it Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений (М., 1962)
  6. R. Chen. J. Appl. Phys., 40, 570 (1970)
  7. Н.А. Урманов, М.В. Гафурова. ФТП, 27, 1535 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.