Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Наблюдение атомарной структуры пассивированной в водородной ЭЦР плазме поверхности Si (111) с помощью сканирующего туннельного микроскопа на воздухе

Гуртовой В.Л.¹, Дремов В.В.¹, Макаренко В.А.¹, Шаповал С.Ю.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 20 января 1995 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

PDF версия

Представлены результаты наблюдения с помощью сканирующей туннельной микроскопии на воздухе обработанной плазме поверхности Si(111). Показана возможность получения атомного разрешения. Наблюдалась структура поверхности Si(111)-1x 1 в течение нескольких часов без потери атомного разрешения, а также атомно-гладкие террасы и ступеньки с толщиной в один, два и четыре бислоя. Результаты свидетельствуют о высокой чистоте и стойкости к окислению пассированной с помощью плазменного процесса поверхности кремния.

G.S. Higashi, R.S. Becker, Y.J. Chabal, A.J. Becker. Appl. Phys. Lett., 58, 1656 (1991)
Y. Nakagawa, A. Ishitani, T. Takahagi, H. Kuroda, H. Tokumoto, M. Ono, K. Kajimura. J. Vac. Sci. Technol., A8, 262 (1990)
U. Neuwald, H.E. Hessel, A. Feltz, U. Memmert, R.J. Behm. Appl. Phys. Lett., 60, 1307 (1992)
M. Ishi, K. Nakashima, I. Tajiima, M. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 58, 1378 (1991)
S. Shapoval, O. Popov, A. Westner, M. Yoder. J. Vac. Sci. Technol., A9, 3071 (1991)
В.В. Дремов, В.А. Макаренко, М.Г. Элиашберг. \it Тез. докл. VIII симп. по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. (Черноголовка, 1993) с. 162
Y. Morita, K. Miki, H. Tokumoto. Appl. Phys. Lett., 59, 1347 (1991)
Л.Н. Болотов, В.А. Козлов, И.В. Макаренко, А.Н. Титков. ФТП, 27, 1375 (1993)
Y.J. Chabal, G.S. Higashi, K. Raghavachari, V.A. Burrows. J. Vac. Sci. Technol., A7, 2104 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель