Рассмотрены возможные механизмы повешения эффектривности f-f-излучения в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами, в том случае, когда возбуждение f-оболочки примесного центра происходит благодаря Оже-рекомбинации электронно-дырочной пары, локализованной на примесном атоме. Проанализированы два новых механизма возбуждения f-f-излучения. Первый механизм связан с внесением примесей в гетероструктуру с квантовыми ямами. Второй механизм связан с помещением примесного полупроводника в квантующее магнитное поле. Показано, что в обоих случаях процесс кулоновского возбуждения f-электрона примесного атома электронно-дырочной пары полупроводника имеет резонансный характер. При этом эффективность возбуждения f-f-излучения возрастает на несколько порядков.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.