"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм увеличения интенсивности f-f-люминесценции в полупроводниках
Зегря Г.Г.1, Мастеров В.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Рассмотрены возможные механизмы повешения эффектривности f-f-излучения в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами, в том случае, когда возбуждение f-оболочки примесного центра происходит благодаря Оже-рекомбинации электронно-дырочной пары, локализованной на примесном атоме. Проанализированы два новых механизма возбуждения f-f-излучения. Первый механизм связан с внесением примесей в гетероструктуру с квантовыми ямами. Второй механизм связан с помещением примесного полупроводника в квантующее магнитное поле. Показано, что в обоих случаях процесс кулоновского возбуждения f-электрона примесного атома электронно-дырочной пары полупроводника имеет резонансный характер. При этом эффективность возбуждения f-f-излучения возрастает на несколько порядков.
  1. V.A. Kasatkin, V.F. Masterov, V.P. Saveliev, V.A. Kharchenko. \it Abstracts 7th All-Union Symposium on Spectroscopy of Crystals (Russia, 1982) p. 167
  2. H. Isshiki, H. Kobayashi, S. Yugo, T. Kimura, T. Ikoma. Appl. Phys. Lett., 58, 484 (1991)
  3. V.F. Masterov. MRS Symp. Proc., 301, 373 (1993)
  4. P.S. Whitney, K. Vwai, H. Nakagome, K. Takahei. Appl. Phys. Lett., 53, 2074 (1988)
  5. B. Lambert, Y. Toudie, G. Grandpierre et al. Electron. Lett., 24, 1446 (1988)
  6. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  7. А.А. Пахомов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27, 482 (1993)
  8. А.Д. Андреев, Г.Г. Зегря. ЖЭТФ, 105, 1005 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.