Вышедшие номера
Динамика термической генерации свободных носителей заряда у границы раздела полупроводник--диэлектрик в условиях релаксации заселенности объемных центров генерации
Дмитриев С.Г.1, Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 23 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Рассмотрен процесс изотермической релаксации структур металл-диэлектрик-полупроводник от состояния обогащения к состоянию инверсии в режиме линейного со временем изменения потенциала полевого электрода Vg с учетом временной эволюции заселенности локализованных электронных состояний - центров генерации неосновных носителей заряда. Показано, что нестационарность заселенности этих состояний проявляется наиболее ярко на начальных этапах релаксации в формах резкого излома зависимости ширины области пространственного заряда полупроводника от Vg и уменьшения скорости нарастания тока. Выяснены условия, при которых эффекты нестационарности оказываются существенными. Установлено, в частности, что это имеет место, когда концентрация объемных центров генерации превышает концентрацию легирующей примеси. В таких условиях классическое описание динамической характеристики I(Vg) оказывается неприменимым.