"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динамика термической генерации свободных носителей заряда у границы раздела полупроводник--диэлектрик в условиях релаксации заселенности объемных центров генерации
Дмитриев С.Г.1, Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 23 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Рассмотрен процесс изотермической релаксации структур металл-диэлектрик-полупроводник от состояния обогащения к состоянию инверсии в режиме линейного со временем изменения потенциала полевого электрода Vg с учетом временной эволюции заселенности локализованных электронных состояний - центров генерации неосновных носителей заряда. Показано, что нестационарность заселенности этих состояний проявляется наиболее ярко на начальных этапах релаксации в формах резкого излома зависимости ширины области пространственного заряда полупроводника от Vg и уменьшения скорости нарастания тока. Выяснены условия, при которых эффекты нестационарности оказываются существенными. Установлено, в частности, что это имеет место, когда концентрация объемных центров генерации превышает концентрацию легирующей примеси. В таких условиях классическое описание динамической характеристики I(Vg) оказывается неприменимым.
  1. J.S. Kang, D.K. Schroder. Phys. St. Sol. (a), 13 (1985)
  2. K. Board, J.G. Simmons. Sol. St. Electron., 20, 859 (1977)
  3. A.G. Nassibian, L. Faraone, J.G. Simmons. J. Appl. Phys., 50, 1439 (1979)
  4. X. Zhang. Semicond. Sci. Technol., 7, 654 (1992)
  5. P.G.C. Allman. Sol. St. Electron., 25, 241 (1982)
  6. X. Zhang. Sol. St. Electron., 34, 43 (1991)
  7. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Клочкова, Ю.В. Маркин. ФТП, 24, 159 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.