Динамика термической генерации свободных носителей заряда у границы раздела полупроводник--диэлектрик в условиях релаксации заселенности объемных центров генерации
Дмитриев С.Г.1, Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 23 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Рассмотрен процесс изотермической релаксации структур металл-диэлектрик-полупроводник от состояния обогащения к состоянию инверсии в режиме линейного со временем изменения потенциала полевого электрода Vg с учетом временной эволюции заселенности локализованных электронных состояний - центров генерации неосновных носителей заряда. Показано, что нестационарность заселенности этих состояний проявляется наиболее ярко на начальных этапах релаксации в формах резкого излома зависимости ширины области пространственного заряда полупроводника от Vg и уменьшения скорости нарастания тока. Выяснены условия, при которых эффекты нестационарности оказываются существенными. Установлено, в частности, что это имеет место, когда концентрация объемных центров генерации превышает концентрацию легирующей примеси. В таких условиях классическое описание динамической характеристики I(Vg) оказывается неприменимым.
- J.S. Kang, D.K. Schroder. Phys. St. Sol. (a), 13 (1985)
- K. Board, J.G. Simmons. Sol. St. Electron., 20, 859 (1977)
- A.G. Nassibian, L. Faraone, J.G. Simmons. J. Appl. Phys., 50, 1439 (1979)
- X. Zhang. Semicond. Sci. Technol., 7, 654 (1992)
- P.G.C. Allman. Sol. St. Electron., 25, 241 (1982)
- X. Zhang. Sol. St. Electron., 34, 43 (1991)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Клочкова, Ю.В. Маркин. ФТП, 24, 159 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук