На основе теории протекания получен критерий для перехода Мотта в легированных полупроводниках в том случае, когда примесные атомы образуют различные плоские подрешетки. Показано, что критическая концентрация при этом не зависит от типа примесной подрешетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.