"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О критерии перехода Мотта в плоских решетках
Кязым-заде А.Г.1
1Бакинский государственный университет им. М.Э. Расулзаде, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 25 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
На основе теории протекания получен критерий для перехода Мотта в легированных полупроводниках в том случае, когда примесные атомы образуют различные плоские подрешетки. Показано, что критическая концентрация при этом не зависит от типа примесной подрешетки.
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. \it Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  2. А.Г. Кязым-заде. ФТП, 27, 717 (1993)
  3. H. Scher, R. Zallen. J. Chem. Phys., 53, 3759 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.