"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе
Козловский С.И.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Проведен расчет пространственных распределений электрического потенциала и концентрации неравновесных носителей заряда в базовой области двухколлекторного тензотранзистора с протяженным эмиттером. На основе расчета определена оптимальная топология тензотранзистора. Показано, что выходной сигнал тензотранзистора обусловлен двумя эффектами: эффектом поперечного отклонения неравновесных носителей заряда и модуляции инжекции. Причем вклад последнего возрастает с увеличением ширины эмиттерного n-p-перехода.
  1. Г.Г. Бабичев, В.Н. Гузь, И.П. Жадько, С.И. Козловский, В.А. Романов. ФТП, 26, 1244 (1992)
  2. H.P. Baltes, R.S. Popovic. Proc. IEEE, 34, 1107 (1986)
  3. И.П. Викулин, М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева. ЖТФ, 59, 170 (1989)
  4. И.И. Бойко, И.П. Жадько, С.И. Козловский, В.А. Романов. Оптоэлектрон. и полупроводн. техника, 27, 94 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.