Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе
Козловский С.И.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Проведен расчет пространственных распределений электрического потенциала и концентрации неравновесных носителей заряда в базовой области двухколлекторного тензотранзистора с протяженным эмиттером. На основе расчета определена оптимальная топология тензотранзистора. Показано, что выходной сигнал тензотранзистора обусловлен двумя эффектами: эффектом поперечного отклонения неравновесных носителей заряда и модуляции инжекции. Причем вклад последнего возрастает с увеличением ширины эмиттерного n-p-перехода.
- Г.Г. Бабичев, В.Н. Гузь, И.П. Жадько, С.И. Козловский, В.А. Романов. ФТП, 26, 1244 (1992)
- H.P. Baltes, R.S. Popovic. Proc. IEEE, 34, 1107 (1986)
- И.П. Викулин, М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева. ЖТФ, 59, 170 (1989)
- И.И. Бойко, И.П. Жадько, С.И. Козловский, В.А. Романов. Оптоэлектрон. и полупроводн. техника, 27, 94 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук