Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1995, выпуск 10 » Статья стр. 1833
<<<>>>
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC--6 H
Андреев А.Н.1, Лебедев А.А.1, Растегаева М.Г.1, Снегов Ф.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1, Шестопалова Л.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
PDF версия
Исследовались поверхностно-барьерные структуры металл-n-SiC-6H (металл; Au, Mo, Cr или Al) в диапазоне концентраций нескомпенсированной донорной примеси Nd-Na = 4· 1016-3· 1018 см-3. При Nd-Na=1· 1017 см-3 экспериментально определенная средняя величина барьера составила ~ 1.40, 1.30, 1.22 и 1.26 эВ в диодах Шоттки на основе золота, молибдена, хрома и алюминия соответственно. В этих структурах обнаружена тенденция к образованию более низкого барьера при увеличении Nd-Na. Использованная методика формирования барьеров Шоттки, включающая кратковременную обработку в КОН поверхности, полученной после роста эпитаксиальных слоев или предварительно сублимационного травления подложек, приводит к значительной плотности поверхностных состояний, вследствие чего зависимость высоты барьера от работы выхода является слабой. Проведен сравнительный анализ полученных результатов и экспериментальных данных различных авторов по высоте барьера. В рамках классической модели проведен расчет высоты барьера в структурах металл-n-SiC-6H.
  1. M. Bhatnagar, P.K. McLarty, B.J. Baliga, IEEE Electron Dev. Lett. 13, 501 (1992)
  2. T. Urushidani, S. Kobayashi, T. Kimoto, H. Matsunami. \it Silicon Carbide and Related Materials, Ser. 137 (\it Proceedings of Fifth Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Washington, DC, USA), ed. by M.G. Spencer et al. (Institute of Physics Publising, Bristol and Philadelphia, 1993) p. 471
  3. Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин. Письма в ЖТФ, 14, 1742 (1988)
  4. M.M. Anikin, A.N. Andreev, S.N. Pyatko, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. Sensors and Actuators A, 33, 91 (1992)
  5. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk, V.E. Chelnokov, S. Tyc. \it E-MRS 1994 Spring Meeting (Strasbourg, France) Final Book of Abstracts, E-VII.1
  6. G.H. Glover. J. Appl. Phys. 46, 4842 (1975)
  7. В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1982)
  8. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strel'chuk. Springer Proc. in Physics, 56, 269 (1992)
  9. J.R. Waldrop, R.W. Grant, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 72, 4757 (1992)
  10. J.R. Waldrop, R.W. Grant. J. Appl. Phys. Lett., 62, 2685 (1993)
  11. J.R. Waldrop. J. Appl. Phys., 75, 4548 (1994)
  12. S.H. Hagen. J. Appl. Phys., 39, 1458 (1968)
  13. S.Y. Wu, R.B. Campbell. Sol. St. Electron, 17, 683 (1974)
  14. М.М. Аникин, А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, С.Н. Пятко, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 328 (1991)
  15. L.M. Porter, R.F. Davis, J.S. Bow, M.J. Kim, R.W. Carpenter. \it Transactions of Second International High Temperature Electronics Conference (Charlotte, Noth Carolina, 1994, USA) XIII-3
  16. L.M. Porter, R.F. Davis, J.S. Bow, M.J. Kim, R.W. Carpenter.\it Silicon Carbide and Related Materials, Ser. 137 (\it Proceedings of Fifth Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Washington, DC, USA), ed. by M.G. Spencer et al. (Institute of Physics Publising, Bristol and Philadelphia, 1993) p. 581
  17. Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП, 17, 1757 (1983)
  18. С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  19. A.M. Cowley, S.M. Sze. J. Appl. Phys., 36, 3212 (1965)
  20. W.J. Choyke, L. Patric. Phys. Rev., 127, 1868 (1962)
  21. P.A. Glasov. In: \it Springer Proceedings in Physics, ed. by C.Y. Yang, G.L. Harris (Springer Verlag, Berlin, 1989) v. 43, p. 16
  22. В.И. Санкин. ФТП, 17, 1820 (1975)
  23. B.W. Wessels, H.C. Gatos. J. Phys. Chem. Sol. 38, 345 (1977)
  24. W.J. Choyke, L. Patric. Phys. Rev. B, 2, 2255 (1970)
  25. W.G. Spitzer, D. Kleinman, D. Walsh. Phys. Rev., 113, 127 (1959)
  26. J.A. Dillon, R.E. Schlier, H.E. Farnsworth. J. Appl. Phys., 30, 675 (1959)
  27. Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. \it Справочник по электротехническим материалам (М., 1988) разд. 19
  28. М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, 1768 (1984)
  29. Э.Х. Родерик. \it Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  30. H.B. Michaelson. J. Appl. Phys. 48, 4729 (1977)
  31. L.M. Spellman, R.G. Glass, R.F. Devis, T.P. Humphreys, R.J. Namanich, K. Das, S. Chevacharaenkul. In.: \it Springer Proceedings in Physics, ed. by C.Y. Yang, M.M. Rahman, G.L. Harris (Springer Verlag, Berlin, 1992) v. 71, p. 417

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme