"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
Андреев А.Н.1, Трегубова А.С.1, Щеглов М.П.1, Растегаев В.П.1, Дорожкин С.И.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Методами рентгеновской дифрактометрии и топографии исследовались подложки SiC-6H, полученные из кристаллов, выращенных модифицированным методом Лели в Санкт-Петербургском электротехническом университете и CREE Research (Вашингтон, США). Показано, что особенности структурного совершенства исследованных подложек обусловлены существенными отличиями в типе и распределении преобладающих в них дефектов.
  1. J.A. Lely. Ber. Deut. Keram. Ges., 32, 229 (1955)
  2. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
  3. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst Growth, 52, 146 (1981)
  4. R.C. Glass, C.I. Harris, V.F. Tsvetkov, P.F. Fewster, J.E. Sungren, E. Janzen. \it Silicon Carbide and Related Materials (Institute of Physics Publishin, Bristol and Philadelphia, 1994) v. 137 p. 165
  5. S. Wang, M. Dudley, C. Carter, D. Asbury, C. Fazi. In: \it Materials Research Society, Symposium Proceedings (1993) c. 307, p. 249
  6. А.Р. Ленг. \it Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении, под ред. С. Амелинкса (М., 1984 Наука)
  7. Р.Н. Кютт, Л.М. Сорокин, Т.С. Аргунова, С.С. Рувимов. ФТТ, 36, 2700 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.