Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
Андреев А.Н.1, Трегубова А.С.1, Щеглов М.П.1, Растегаев В.П.1, Дорожкин С.И.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Методами рентгеновской дифрактометрии и топографии исследовались подложки SiC-6H, полученные из кристаллов, выращенных модифицированным методом Лели в Санкт-Петербургском электротехническом университете и CREE Research (Вашингтон, США). Показано, что особенности структурного совершенства исследованных подложек обусловлены существенными отличиями в типе и распределении преобладающих в них дефектов.
- J.A. Lely. Ber. Deut. Keram. Ges., 32, 229 (1955)
- Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
- Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst Growth, 52, 146 (1981)
- R.C. Glass, C.I. Harris, V.F. Tsvetkov, P.F. Fewster, J.E. Sungren, E. Janzen. \it Silicon Carbide and Related Materials (Institute of Physics Publishin, Bristol and Philadelphia, 1994) v. 137 p. 165
- S. Wang, M. Dudley, C. Carter, D. Asbury, C. Fazi. In: \it Materials Research Society, Symposium Proceedings (1993) c. 307, p. 249
- А.Р. Ленг. \it Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении, под ред. С. Амелинкса (М., 1984 Наука)
- Р.Н. Кютт, Л.М. Сорокин, Т.С. Аргунова, С.С. Рувимов. ФТТ, 36, 2700 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
